РАЗРАБОТКА ТЕХНОЛОГИЙ ПОЛУЧЕНИЯ И ИССЛЕДОВАНИЯ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ И ЛЮМИНЕСЦЕНТНЫХ СВОЙСТВ СОЕДИНЕНИЙ ГРУППЫ IV, А3В5, НОВЫХ МАТЕРИАЛОВ И ПРИБОРОВ НА ИХ ОСНОВЕ

Цель работы – Разработка технологии роста эпитаксиальных слоев широкозонных полупроводников (SiC, GaN, ), а также светоизлучающих структур на основе Si . Отработка технологии роста эпитаксиальных слоёв GaN на основе керамических подложек и AlN на кремнии и исследование их электрофизических параметров. Теоретический анализ свойств графена и полупроводниковых соединений. Исследование радиационной стойкости карбида кремния при облучении электронами и протонами при повышенных температурах. Исследование растворимости в кремнии примеси магния, введенного путем диффузии в интервале температур 1100-1300 ○С. Нитриды III группы (AlN, GaN) стали наиболее важными материалами для применения в излучателях и детекторах в видимом диапазоне и ультрафиолетовом спектре, а также в электронных устройствах высокой мощности. Однако из-за отсутствия собственной подложки актуальной исследовательской задачей является разработка технологии роста III-N на основе подложек других материалов. Решение задачи по росту и легированию эпитаксиальных слоев Ga2O3 сверхширокозонного материала, представляющего большой интерес для силовой электроники. Проведение комплексных исследований пористых пленок Pb(Zr,Ti)O3, для установление взаимосвязи между изменениями кристаллической структуры и электрическими свойствами пленок с ростом концентрации поливинилпирролидона. Все перечисленные исследования носят как фундаментальный, так и прикладной характер и направлены на развитие отдельных областей микроэлектроники. Полученные результаты имеют большое значение для внедрения в промышленное производство приборов на основе новых полупроводниковых материалов – SiC, GaN, Ga2O3, графен. Также они имеют значения и для развитии электроники на основе классического полупроводникового материала – кремния.