Главная
»
Базы данных научно-технической информации
»
ИКРБС: Загрузка...
ИКРБС
№ 223122200083-7

«Разработка комплекта микросхем управления питанием для мощных нитрид-галлиевых СВЧ усилителей» (договор №9ГРРЭС14/71688 от 19.12.2021) (заключительный)

15.12.2023
Отчет содержит: 1) 66 страниц; 2) 32 иллюстраций; 3) 2 таблицы. Перечень ключевых слов: Схема питания СВЧ-усилителя мощности, схема управления режимом СВЧ-усилителя мощности, драйвер GaN транзистора, импульсный модулятор, схема обвязки GaN усилителя. На 4-м этапе НИОКР основными целями являлись: - изготовление опытных образцов продукта 2; - отработка и выполнение отдельных технологических операций по сборке образцов продукта 2; - разработка методик стыковочных испытаний образцов изделий с типовыми СВЧ усилителями мощности; - проведение исследовательских испытаний опытных образцов продукта 2; - разработка испытательных стендов; - проведение предварительных испытаний опытных образцов. Основными результатами работы являются: - подготовлен комплект КД, ТД и ТУ с литерой «О»; - выполнена отработка технологических операций по сборке опытных образцов продукта 2; - изготовлены опытные образцы продукта 2; - проведены стыковочные испытания на основе разработанных методик проведения стыковочных испытаний; - проведены исследовательские испытания по программе проведения стыковочных испытаний с типовыми СВЧ-усилителями на основе нитрида-галлия и арсенида-галлия; - разработаны испытательные и тренировочные стенды; - проведены предварительные испытания по программе проведения предварительных испытаний продукта 1 и продукта 2; - проведена приемочная комиссия, рассмотревшая результаты работы, полученные в ходе проведения НИОКР «Окружение М». Оценка исполнителем успешности выполнения работы по этапу. Объем запланированных на 4-м этапе работ выполнен в полном объеме.
ГРНТИ
47.14.17 Проектирование и конструирование радиоэлектронной аппаратуры
47.14.13 Проектирование и конструирование изделий электронной техники СВЧ-диапазона
47.41.37 Импульсные схемы
47.33.31 Интегральные микросхемы
47.14.07 Проектирование и конструирование полупроводниковых приборов и приборов микроэлектроники
Ключевые слова
Схема питания СВЧ-усилителя мощности
схема управления режимом СВЧ-усилителя мощности
драйвер GaN транзистора
импульсный модулятор
схема обвязки GaN усилителя
Детали
НИОКТР
№ 121122300245-1
Заказчик
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ "ФОНД СОДЕЙСТВИЯ РАЗВИТИЮ МАЛЫХ ФОРМ ПРЕДПРИЯТИЙ В НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКОЙ СФЕРЕ"
Исполнитель
ОБЩЕСТВО С ОГРАНИЧЕННОЙ ОТВЕТСТВЕННОСТЬЮ "ЦЕНТР ИННОВАЦИОННЫХ РАЗРАБОТОК ВАО"
Бюджет
Средства фондов поддержки научной и (или) научно-технической деятельности: 14 850 000 ₽; Собственные средства организаций: 2 400 000 ₽
Похожие документы
ОТЧЕТ о выполнении НИОКР по теме: «Разработка заказной интегральной микросхемы распределенной системы питания» (договор №5ГРРЭС14/71674 от 19.12.2021) (заключительный)
0.934
ИКРБС
"Проектирование и разработка высоковольтных микросхем управления источниками вторичного электропитания широкого назначения" (договор №22ГРРЭС14/71681 от 20.12.2021) (заключительный)
0.933
ИКРБС
о выполнении НИОКР по теме: "Разработка электронного модуля на основе силовых GaN транзисторов для современных вторичных источников питания с повышенным КПД" (договор №445ГР/64870 от 24.12.2020) Этап №2"Изготовление гибридной интегральной схемы и силового GaN электронного модуля. Создание рабочего места для тестирования силового GaN электронного модуля. Измерение параметров силового GaN электронного модуля с гибридной интегральной схемой. Разработка программы и методики испытаний силового GaN электронного модуля. Верификация топологий GaN монолитной интегральной схемы." (промежуточный)
0.931
ИКРБС
Этап №1 "Разработка документации эскизного проекта. Изготовление экспериментальных образцов. Проработка режимов и выполнение отдельных технологических операций по сборке экспериментальных образцов. Проведение испытаний экспериментальных образцов."
0.928
ИКРБС
Проектирование и разработка микросхемы широкополосного усилителя УВЧ диапазона на гетероструктурах нитрида галлия на кремнии с выходной мощностью до 10 Вт (заключительный)
0.926
ИКРБС
ОТЧЕТ о выполнении НИОКР по теме: "Разработка заказной интегральной микросхемы распределенной системы питания" (договор №5ГРРЭС14/71674 от 19.12.2021) Этап №1"Разработка спецификации заказной интегральной микросхемы. Анализ полупроводниковой технологии.Проектирование и разработка структурных и принципиальных электрических схем. Схемотехническое проектирование аналоговых и аналого-цифровых СФ-блоков с использованием технологических библиотек.Схемотехническое проектирование и моделирование схемы верхнего уровня с использованием технологических библиотек и средств САПР." (промежуточный)
0.922
ИКРБС
Этап № 2. "Разработка документации технического проекта. Изготовление макетных образцов. Проработка режимов и выполнение отдельных технологических операций по сборке макетных образцов. Проведение испытаний макетных образцов."
0.919
ИКРБС
Этап №3. "Разработка рабочих КД и ТД для изготовления опытных образцов. Разработка методик исследования образцов изделий. Разработка измерительных и испытательных оснасток. Изготовление опытных образцов продукта 1. Отработка и выполнение отдельных технологических операций по сборке опытных образцов продукта 1 (отмывка, плазменная очистка, отработка типа посадки, отработка процесса дозирования сушки клея, микросварка выводов). Проведение исследовательских испытаний опытных образцов продукта 1" (промежуточный)
0.919
ИКРБС
о выполнении НИОКР по теме: "Разработка электронного модуля на основе силовых GaN транзисторов для современных вторичных источников питания с повышенным КПД" (договор №445ГР/64870 от 24.12.2020). Этап №1"Выполнение работ в соответствии со Сметой расходов средств гранта на выполнение инновационного проекта" (промежуточный)
0.916
ИКРБС
Измерение параметров макетных образцов мощных УВЧ-транзисторов ряда 1, 5, 10 Вт и МИС УВЧ литер 1, 2, 3. Разработка программ и методик предварительных испытаний МИС УВЧ литер 1, 2, 3. Проведение предварительных испытаний макетных образцов МИС УВЧ литер 1, 2, 3. Разработка РКД и ТД на кристаллы МИС УВЧ литер 1, 2, 3. Разработка и изготовление комплекта фотошаблонов для изготовления опытных образцов кристаллов МИС УВЧ литер 1, 2, 3. Изготовление опытных образцов кристаллов МИС УВЧ литер 1, 2, 3.
0.911
ИКРБС