ИКРБС
№ 224020301015-4Разработка методик измерений микросхем. Разработка программ и методик предварительных испытаний опытных образцов микросхем. Разработка ЭКД на измерительные средства и оснастку для проведения измерений и испытаний микросхем. Изготовление измерительных средств и оснастки для проведения измерений и испытаний микросхем. Разработка рабочего места для измерений и испытаний микросхем. Разработка рабочей КД и ТД на микросхемы. Изготовление опытных образцов микросхем. (промежуточный)
19.06.2023
Целью НИОКР является разработка трех высоковольтных интегральных микросхем: двухканального драйвера силовых ключей без гальванической изоляции – ИМС1, интегрального низковольтного одноканального импульсного понижающего преобразователя без гальванической изоляции с обратной связью по напряжению – ИМС2, ШИМ-контроллера с управлением по току силового МОП-транзистора – ИМС3. Разрабатываемые микросхемы предназначены для использования в современных и перспективных источниках вторичного электропитания. В соответствии с календарным планом и ТЗ на 3 этапе выполнены следующие работы:
– разработаны методики измерений микросхем;
– разработаны программы и методики предварительных испытаний опытных образцов микросхем;
– разработаны ЭКД на измерительные оснастки для проведения измерений и испытаний микросхем;
– изготовлены измерительные оснастки для проведения измерений и испытаний микросхем;
– разработаны рабочие места для измерений и испытаний микросхем;
– разработаны рабочие КД и ТД на микросхемы;
– изготовлены опытные образцов микросхем;
– определена стоимость и продолжительность подготовки и освоения серийного производства.
Достигнутые в ходе выполнения 3 этапа НИОКР результаты полностью удовлетворяют поставленным задачам календарного плана и ТЗ.
ГРНТИ
47.14.07 Проектирование и конструирование полупроводниковых приборов и приборов микроэлектроники
Ключевые слова
источники вторичного электропитания
драйвер силовых ключей
импульсный понижающий преобразователь
DC-DC преобразователь
ШИМ контроллер
МОП транзисторы
топология кристалла
BCD технологический процесс
микросхема
Детали
НИОКТР
Заказчик
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ "ФОНД СОДЕЙСТВИЯ РАЗВИТИЮ МАЛЫХ ФОРМ ПРЕДПРИЯТИЙ В НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКОЙ СФЕРЕ"
Исполнитель
ОБЩЕСТВО С ОГРАНИЧЕННОЙ ОТВЕТСТВЕННОСТЬЮ "СИБИС"
Бюджет
Собственные средства организаций: 10 750 000 ₽; Средства фондов поддержки научной и (или) научно-технической деятельности: 34 300 000 ₽
Похожие документы
Изготовление макетных образцов микросхем. Исследование параметров макетных образцов микросхем. Разработка принципиальных схем микросхем. Моделирование работы микросхем. Разработка топологий кристаллов микросхем.
0.973
ИКРБС
Разработка структурных схем микросхем. Определение необходимого набора элементов "правил проектирования" производителя кристаллов и требований к ним, выбор технологий изготовления кристаллов микросхем. Разработка принципиальных схем макетных образцов микросхем. Моделирование работы макетных образцов микросхем. Разработка топологии кристаллов макетных образцов микросхем.
0.969
ИКРБС
"Проектирование и разработка высоковольтных микросхем управления источниками вторичного электропитания широкого назначения" (договор №22ГРРЭС14/71681 от 20.12.2021) (заключительный)
0.936
ИКРБС
Разработка и верификация топологии макетного образца ИМС.
Разработка сборочного чертежа макетного образца ИМС.
Изготовление полупроводникового кристалла макетного образца ИМС. Технологическая сборка полупроводникового кристалла в установленный тип корпуса макетного образца. Разработка технологического маршрута сборки. Сборка макетного образца ИМС.
Разработка программы и методики лабораторных измерений макетного образца ИМС.
Изготовление измерительной оснастки макетного образца ИМС.
Проведение лабораторных измерений макетного образца ИМС.
(промежуточный)
0.924
ИКРБС
Изготовление полупроводниковых кристаллов опытных образцов ИМС. Разработка программы и методики лабораторных испытаний. Разработка тестовой оснастки: разработка электрической схемы и топологии печатной платы для проведения лабораторных испытаний.
0.918
ИКРБС
Измерение параметров макетных образцов мощных УВЧ-транзисторов ряда 1,
5, 10 Вт и МИС УВЧ литер 1, 2, 3.
Разработка программ и методик предварительных испытаний МИС УВЧ литер 1, 2, 3.
Проведение предварительных испытаний макетных образцов МИС УВЧ литер 1, 2, 3.
Разработка РКД и ТД на кристаллы МИС УВЧ литер 1, 2, 3.
Разработка и изготовление комплекта фотошаблонов для изготовления опытных образцов
кристаллов МИС УВЧ литер 1, 2, 3.
Изготовление опытных образцов кристаллов МИС УВЧ литер 1, 2, 3.
0.918
ИКРБС
"Разработка спецификации интегральной микросхемы. Разработка структурной схемы ИМС. Разработка принципиальных электрических схем аналоговых СФ-блоков. Схемотехническое моделирование аналоговых СФ-блоков ИМС. Функциональное моделирование системы верхнего уровня ИМС. Разработка и верификация топологии аналоговых СФ-блоков ИМС. Разработка измерительной оснастки на основе электронного печатного модуля (платы)". (Промежуточный)
0.916
ИКРБС
ОТЧЕТ о выполнении НИОКР по теме: "Разработка заказной интегральной микросхемы распределенной системы питания" (договор №5ГРРЭС14/71674 от 19.12.2021) Этап №1"Разработка спецификации заказной интегральной микросхемы. Анализ полупроводниковой технологии.Проектирование и разработка структурных и принципиальных электрических схем. Схемотехническое проектирование аналоговых и аналого-цифровых СФ-блоков с использованием технологических библиотек.Схемотехническое проектирование и моделирование схемы верхнего уровня с использованием технологических библиотек и средств САПР." (промежуточный)
0.914
ИКРБС
Разработка перспективных технологий и конструкций серии интегральных микросхем мультифункционального контроля и управления источниками вторичного электропитания энергоэффективных светодиодных систем
0.914
ИКРБС
Научно-технический отчет по проекту «Исследования и разработка цифрового дизайн-центра по проектированию микроэлектронных устройств для беспроводных систем связи». Этап 1
0.910
ИКРБС