ИКРБС
№ 224020101096-5Исследование механизмов формирования, микроструктуры, электрофизических и оптических свойств дисперсных, объемных и тонкопленочных функциональных материалов оптоэлектроники и сенсорики
22.01.2024
Объектом исследований являются тонкопленочные и объемные керамические материалы на основе широкозонных оксидов для таких областей применения, как оптоэлектроника, фотоника, сенсорика и энергетика.
Цель работы – изучение особенностей и условий синтеза объемных и тонкопленочных материалов на основе широкозонных оксидов, установление взаимосвязей между технологическими условиями их синтеза, структурой и функциональными свойствами, разработка новых перспективных функциональных материалов и оптимизация технологий их получения.
В рамках решения задачи улучшения функциональных свойств прозрачных электродов на основе ZnO, легированного Ga, детально исследовано влияние состава распыляемой металлокерамической мишени ZnO:Ga–Zn и температуры подложки на структуру и функциональные свойства формируемых тонких пленок ZnO:Ga.
В рамках решения задачи разработки новых материалов для сенсорных применений исследованы процессы получения пористых слоев ZnO с использованием двухстадийного подхода, включающего такие совместимые с типовыми технологическими операциями микроэлектроники методики, как магнетронное распыление и последующий термический отжиг осажденных слоев.
Исследован процесс искрового плазменного спекания керамики на основе ZnO, со-легированного Ga и B, имеющей форму полого цилиндра большого диаметра с большим отношением высоты h к толщине стенки ∆r (h / ∆r ≥ 3). Рассмотрен способ, обеспечивающий формирование плотной керамики сложной формы с высокой однородностью структуры и фазового состава.
Подана заявка на получение патента РФ на изобретение способа формирования прозрачных проводящих слоев на основе In2O3:Zn с улучшенными функциональными свойствами.
ГРНТИ
29.19.00 Физика твердых тел
Ключевые слова
МАГНЕТРОННОЕ РАСПЫЛЕНИЕ
ИСКРОВОЕ ПЛАЗМЕННОЕ СПЕКАНИЕ
ПРОЗРАЧНЫЙ ЭЛЕКТРОД
ШИРОКОЗОННЫЙ ОКСИД
ТОНКАЯ ПЛЕНКА
МЕТАЛЛОКЕРАМИКА
МИШЕНЬ
ЛЕГИРОВАНИЕ
ОКСИД ЦИНКА
ГАЛЛИЙ
Детали
НИОКТР
Заказчик
МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
Исполнитель
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ НАУКИ ДАГЕСТАНСКИЙ ФЕДЕРАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ЦЕНТР РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК
Бюджет
Средства федерального бюджета: 9 486 796 ₽
Похожие документы
Исследование механизмов формирования, микроструктуры, электрофизических и оптических свойств дисперсных, объемных и тонкопленочных функциональных материалов оптоэлектроники и сенсорики
0.980
ИКРБС
Исследование механизмов формирования, микроструктуры, электрофизических и оптических свойств дисперсных, объемных и тонкопленочных функциональных материалов оптоэлектроники и сенсорики
0.978
ИКРБС
Исследование механизмов формирования, структуры, электрофизических и оптических свойств дисперсных, объемных и тонкопленочных материалов с нанокристаллической структурой на основе многокомпонентных композиций широкозонных оксидов
0.966
ИКРБС
Исследование механизмов формирования, микроструктуры, электрофизических и оптических свойств дисперсных, объемных и тонкопленочных функциональных материалов оптоэлектроники и сенсорики
0.950
НИОКТР
1.10. Создание материалов для термоэлектрических генераторов, элементов прозрачной электроники, сенсорики, нанофотоники на основе широкозонных полупроводниковых оксидов и халькогенидов, модификация их реальной структуры и свойств внешними воздействиями
0.945
ИКРБС
Исследование механизмов формирования, структуры, электрофизических и оптических свойств дисперсных, объемных и тонкопленочных материалов с нанокристалической структурой на основе многокомпонентных композиций широкозонных оксидов
0.943
НИОКТР
Модификация микроструктуры и функциональных свойств тонкопленочных материалов на основе оксида цинка с применением комплексного подхода к их синтезу
0.936
Диссертация
1.10. Создание материалов для термоэлектрических генераторов, элементов прозрачной электроники, сенсорики, нанофотоники на основе широкозонных полупроводниковых оксидов и халькогенидов, модификация их реальной структуры и свойств внешними воздействиями.
0.933
НИОКТР
Лаборатория полупроводниковых оксидных материалов
0.933
НИОКТР
Исследование поверхностных свойств тонких пленок оксидов металлов и сегнетоэлектриков с целью формирования гетероструктур на их основе для создания функциональных элементов электроники и фотовольтаики
0.932
НИОКТР