Оптические, электрические свойства конденсированных ионных систем, полупроводников и углеродных наноматериалов

Объектом исследования являются – полимерный композит на основе многостенных углеродных нанотрубок (МУНТ) и политетрафторэтилена (ПТФЭ), поликристаллические пленки Cu0.27Ga1.85Se1.88 и Cu0.33Ga1.54Se2.13, синтезированные методом управляемой селенизации, нитратно-иодатная система, тонкие пленки многокомпонентных полупроводниковых соединений, содержащих легколетучую S, Se – компоненту, полупроводниковые соединения AIIBVI. Цель работы – исследовать аномалии электро- и теплофизических свойств композита на основе углеродных нанотрубок и политетрафторэтилена. Исследовать физические и оптические свойства поликристаллических пленок Cu0.27Ga1.85Se1.88 и Cu0.33Ga1.54Se2.13, синтезированных методом управляемой селенизации. Исследовать процессы молекулярной релаксации в нитратно-иодатной системе. Исследовать декомпозицию сложных спектров фотолюминесценции. Проектирование установки для получения тонких пленок многокомпонентных полупроводниковых соединений, содержащих легколетучую S, Se – компоненту методом фотостимулированной селенизации в квазизамкнутом объеме, Методы или методология проведения работы – исследования теплоёмкости и термодиффузии МУНТ и ПТФЭ. Методом комбинационного рассеяния (КР) исследовать процессы молекулярной релаксации в нитратно-иодатной системе. Декомпозиция сложных спектров фотолюминесценции. Результаты работы и их новизна – выявлена природа аномалии на температурной зависимости сопротивления, теплоемкости, термодиффузии полимерного композита на основе МУНТ и ПТФЭ. Получены пленки Cu0.27Ga1.85Se1.88 и Cu0.33Ga1.54Se2.13 методом управляемой селенизации, проведены рентгенофазовые исследования, изучены морфология пленок, качественный и полуколичественный элементный анализ, исследованы диэлектрическая проницаемость, электросопротивление, фотопроводимость и спектры КР. Установлена предпереходная область в нитратно-иодатной системе. Область применения результатов – полупроводниковые соединения типа (I-III-VI2) на основе твердых растворов Cu(In1–x, Gax)Se2 (CIGS) со структурой халькопирита перспективны для применения в фотонике и оптоэлектронике.