Исследование лазерно-индуцированных явлений в пленочных структурах на основе селена и меди, а также в иных материалах для применений в фотонике и электронике

Объектом исследования являются некристаллические пленки Ge-Se и тонкие нанокомпозитные пленки CuSe/Se, синтезированные методом вакуумно-термического напыления. Целью работы является следующее: 1) исследование оптических свойств некристаллических пленок GexSe1-x при различных концентрациях Ge в диапазоне длин волн от 240 до 2500 нм методом спектроскопической эллипсометрии; 2) исследование фазовых превращений, протекающих в композитной пленке CuSe/a-Se при ее нагреве в вакууме, и выявление условий для получения текстурированной стехиометрической пленки CuSe(006); 3) исследование поляризационно-чувствительного фототока в тонких нанокомпозитных пленках, состоящих из CuSe и аморфного Se (a-Se). В результате проведенных исследований установлено, что в синтезированных некристаллических пленках GexSe1-x, где x = 0.15-0.25, выявлена аномальная дисперсия показателя преломления в диапазоне длин волн от 240 до 500 нм, зависящая от концентрации Ge. Впервые показано, что при термическом нагреве нанокомпозитной пленки CuSe/a-Se в вакууме возможно ее превращение в текстурированную пленку CuSe(006). Для композитной пленки CuSe/a-Se определены температуры фазового превращения при которых образуются моноклинный Se8, тригональный t-Se, орторомбический CuSe2 и гексагональный CuSe. Установлено, что при заданном угле падения и поляризации света импульсы продольного и поперечного фототока в пленках CuSe/a-Se меняют свое направление в зависимости от длины волны падающего излучения. Показано, что фототок обусловлен поверхностным фотогальваническим эффектом. Переключение направления фототока при изменении длины волны накачки объясняется фотовозбуждением носителей заряда с уровней легких или тяжелых дырок, имеющих различное пространственное распределение по импульсам.