ФУНДАМЕНТАЛЬНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ В ОБЛАСТИ РАЗРАБОТКИ ТЕХНОЛОГИЙ СОЗДАНИЯ СТРУКТУР МИКРО – И НАНОСИСТЕМНОЙ ТЕХНИКИ (промежуточный, этап 2)

Объектом исследований и разработок является технология создания устройств микро – и наносистемной техники. Целью работы являлось проведение фундаментальных и прикладных исследований, направленных на разработку технологических процессов, технологии трехмерных металлических микроструктур для создания электронных компонентов микросхем, микропереключателей (МП) и твердотельных литий-ионных аккумуляторов (ТТЛИА), которые являются перспективными источниками питания устройств микро- и наносистемной техники. Проведенные фундаментальные исследования посвящены моделированию формирования внутренних напряжений в пленке метолов при ионно-плазменной обработке и ионному наноструктурированию поверхности кремния. Разработаны методы ионно-плазменной обработки пленки Ti для управления ее структурными и электрическими характеристками, плазменной модификации, наноструктурирования поверхности пленки GaTe для управления ее оптическими свойствами. Впервые разработан метод получения цветных наноструктурированных пленок аморфного кремния в процессе ионно-плазменного травления. Предложена методика оптимизации разработки процессов глубокого плазменного травления кремния для изготовления чувствительных элементов МЭМС. Исследования в этом направлении будут продолжены на следующем этапе НИР. Исследования в области разработки конструкций и технологии создания микропереключателей направлены на создание ВЧ МЭМС-переключателей резистивного и емкостного типов для передовых систем связи и радиолокации, а разработки в области создания ТТЛИА направлены на улучшение их емкостных характеристик, увеличение ресурса и интеграцию их с устройствами микро- и наносистемной техники. Созданы макетные образцы этих устройств. Разработки относятся к третьему уровню технологического развития. Рабочие характеристики МП и ТТЛИА постоянно улучшаются, что свидетельствует о перспективности разработок.