Фундаментальные и прикладные исследования технологий формирования функциональных диэлектриков в микроструктурах интегральных схем (промежуточный, этап 2)

Отчет 56 с., 13 рис., 3 табл. 43 источн. ПРИБОРЫ МИКРО- И НАНОЭЛЕКТРОНИКИ, ИНТЕГРАЛЬНЫЕ КОНДЕНСАТОРЫ, ГЛУБОКОЕ ТРАВЛЕНИЕ КРЕМНИЯ, ФУНКЦИОНАЛЬНЫЕ ДИЭЛЕКТРИКИ, АТОМНО-СЛОЕВЫЕ ОСАЖДЕНИЕ И ТРАВЛЕНИЕ, В 2022 году начат трехлетний цикл работ по тематике фундаментальных и прикладных исследований технологий формирования функциональных диэлектриков в микроструктурах интегральных схем, направленный на исследование возможностей создания и разработку технологий производства планарных и тренчевых интегральных конденсаторов и других интегральных приборов микроэлектроники. Исследование выполняется в рамках специально созданной молодежной лаборатории Функциональных диэлектриков в микроэлектронике (ФТИАН им. К.А. Валиева РАН). Проведено исследование метода глубокого анизотропного травления кремния методом «окисление-травление» и «нитридизация-травление». Показано, что наилучших по анизотропии и селективности к фоторезисту результатов можно достигнуть, используя на стадии пассивации смесь азота и кислорода. Проведено моделирование глубокого криогенного травления кремния и верификация модели. Полученные результаты могут быть использованы для расчета 3D профилей травления тренчевых структур, в том числе нахождения шероховатости боковых стенок. Отдельно выполнен комплекс работ по травления диэлектриков с низкой диэлектрической проницаемостью, применяемых в качестве функциональных диэлектриков в микроструктурах интегральных схем (в системах металлизации). Полученные результаты могут быть применены при разработке и исследовании плазменных процессов микроструктурирования в микроэлектронике. В отчете также представлен список публикаций, выполненных коллективом по теме работы и перечень зарегистрированных результатов интеллектуальной деятельности.