ИКРБС
№ 224012400846-9

"Разработка высокоточного датчика магнитного поля" (договор №38ГТС1РЭС14/72447 от 25.12.2021.) (заключительный)

25.12.2023

Отчет 135 с., 8 рис., 3 табл., 11 источников, прил. 5 МАГНИТОРЕЗИСТИВНЫЙ ДАТЧИК, МАГНИТОИМПЕДАНСНЫЙ ЭФФЕКТ, АМОРФНЫЙ ФЕРРОМАГНЕТИК, ТОНКОПЛЕНОЧНЫЕ МАГНИТНЫЕ СТРУКТУРЫ, ЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ ЭЛЕМЕНТ, ПРИНЦИПИАЛЬНАЯ ЭЛЕКТРИ-ЧЕСКАЯ СХЕМА, ЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ТРАКТ, МОНТАЖНАЯ СХЕМА, МАГНИТ-НОЕ ПОЛЕ Объектом разработки НИОКР является высокоточный датчик магнитного поля, работающий на эффекте недиагонального магнитного импеданса в тонкопленочных магнитных структурах с аморфным ферромагнитным слоем и обеспечивающий измерение магнитной индукции внешнего магнитного поля с точностью не хуже 100 пТл на фоне поля Земли. Целью выполнения проекта является разработка высокоточного датчика магнитного поля на эффекте недиагонального магнитного импеданса. В ходе выполнения НИОКР в рамках Договора № 38ГТС1РЭС14/72447 от 25.12.2021 были получены следующие научно-технические результаты: - рассчитаны электрофизические и геометрические параметры сенсора магнитного поля для датчика; - разработана технология получения тонких аморфных пленок ферромагнетика CoFeB (CoFeSiB); - изготовлен материальный макет сенсора магнитного поля на основе тонких пленок аморфного ферромагнетика CoFeB (CoFeSiB); - исследован материальный макет сенсора магнитного поля для датчика; - проведен уточняющий расчет электрофизических и геометрических параметров сенсора магнитного поля для датчика; - исследован доработанный материальный макет сенсора магнитного поля для датчика; - доработана технология получения тонких аморфных пленок ферромагнетика CoFeB (CoFeSiB); - изготовлен сенсор магнитного поля на основе тонких пленок аморфного ферромагнетика CoFeB (CoFeSiB); - рассчитаны электрофизические параметры электрического тракта преобразования сигналов сенсора, обеспечивающего заданные характеристики датчика; - разработана принципиальная электрическая схема электрического тракта; - разработана монтажная схема электрического тракта; - разработана принципиальная электрическая схема экспериментального образца датчика; - разработана монтажная схема экспериментального образца датчика; - разработаны алгоритмы и программа управления экспериментальным образцом датчика; - исследован экспериментальный образец датчика; - изготовлены экспериментальные образцы магнитного датчика; - по результатам исследований проведен уточняющий расчёт электрофизических параметров электрического тракта преобразования сигналов сенсора, обеспечивающего заданные характеристики датчика; - доработана принципиальная электрическая схема электрического тракта; - доработана монтажная схема электрического тракта; - доработана принципиальная электрическая схема экспериментального образца датчика; - доработана монтажная схема экспериментального образца датчика; - доработаны алгоритмы и программа управления экспериментальным образцом датчика; - исследован доработанный опытный образец датчика; - разработан и изготовлен корпус доработанного опытного образца датчика; - изготовлены доработанные экспериментальные образцы магнитного датчика. Работы выполнены своевременно и в полном объеме. Результаты работ полностью отвечают требованиям Технического задания и Календарного плана и обеспечивают создание высокоточного датчика магнитного поля, обладающего точностью измерений не хуже 100 пТл на фоне поля Земли.
ГРНТИ
59.29.33 Приборы для измерения характеристик магнитных полей, магнитных свойств материалов
Ключевые слова
ТОНКОПЛЕНОЧНЫЕ МАГНИТНЫЕ СТРУКТУРЫ
МАГНИТОИМПЕДАНСНЫЙ ЭФФЕКТ
МАГНИТОРЕЗИСТИВНЫЙ ДАТЧИК
Детали

НИОКТР
Заказчик
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ "ФОНД СОДЕЙСТВИЯ РАЗВИТИЮ МАЛЫХ ФОРМ ПРЕДПРИЯТИЙ В НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКОЙ СФЕРЕ"
Исполнитель
ОБЩЕСТВО С ОГРАНИЧЕННОЙ ОТВЕТСТВЕННОСТЬЮ "ЦЕНТР ПРОЕКТИРОВАНИЯ МАГНАЗЕР"
Бюджет
Средства фондов поддержки научной и (или) научно-технической деятельности: 3 000 000 ₽
Похожие документы
ОТЧЁТ о выполнении НИОКР по теме: "Разработка высокоточного датчика магнитного поля" (договор №38ГТС1РЭС14/72447 от 25.12.2021). Этап №1 "Расчёт электрофизических и геометрических параметров сенсора магнитного поля для датчика. Исследование материального макета сенсора магнитного поля для датчика. Разработка технологии получения тонких аморфных плёнок ферромагнетика CoFeB(CoFeSiB). Изготовление материального макета сенсора магнитного поля на основе тонких плёнок аморфного ферромагнетика CoFeB(CoFeSiB." (промежуточный)
0.970
ИКРБС
ОТЧЕТ о выполнении НИОКР по теме "Разработка высокоточного датчика магнитного поля" (договор №38ГТС1РЭС14/72447 от 25.12.2021.) Этап №3 "Расчёт электрофизических параметров электрического тракта преобразования сигналов сенсора, обеспечивающего заданные характеристики датчика. Разработка принципиальной электрической схемы электрического тракта. Разработка монтажной схемы электрического тракта. Разработка принципиальной электрической схемы экспериментального образца датчика. Разработка монтажной схемы экспериментального образца датчика. Разработка алгоритмов и программ управления экспериментальным образцом датчика. Исследование экспериментального образца датчика. Изготовление экспериментальных образцов магнитного датчика."
0.969
ИКРБС
ОТЧЕТ о выполнении НИОКР по теме "Разработка высокоточного датчика магнитного поля" (договор №38ГТС1РЭС14/72447 от 25.12.2021.) Этап №2 "Уточняющий расчет электрофизических и геометрических параметров сенсора магнитного поля для датчика, по результатам проведенных исследований. Исследование доработанного материального макета сенсора магнитного поля для датчика. Доработка технологии получения тонких аморфных пленок ферромагнетика CoFeB (CoFeSiB). Изготовление сенсора магнитного поля на основе тонких пленок аморфного ферромагнетика CoFeB (CoFeSiB)" (промежуточный)
0.961
ИКРБС
«Разработка импортозамещающего интегрального трехосевого датчика магнитного поля для защиты интеллектуальных приборов учета электроэнергии от несанкционированного внешнего воздействия.» (договор №12ГРРЭС14/71679 от 19.12.2021) (заключительный)
0.938
ИКРБС
ИТОГОВЫЙ ОТЧЕТ по проекту №8.11100.2018/11.12 «Исследование и разработка многофункциональных магнитоэлектрических преобразователей»
0.930
ИКРБС
Разработка преобразователя магнитного поля на основе тонкопленочной магниторезистивной структуры
0.930
ИКРБС
Научно-исследовательские работы по созданию технологии изготовления чувствительных элементов для датчиков на магниторезистивном эффекте
0.925
ИКРБС
Научно-исследовательские работы по созданию технологии изготовления чувствительных элементов для датчиков на магниторезистивном эффекте
0.922
ИКРБС
Теоретические и экспериментальные исследования, необходимые для решения поставленных перед ПНИ задач
0.920
ИКРБС
ОТЧЕТ (промежуточный) по проекту №8.11100.2018/11.12 «Исследование и разработка многофункциональных магнитоэлектрических преобразователей»
0.917
ИКРБС