ИЗМЕРЕНИЕ И ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ТЕСТОВЫХ ЭЛЕМЕНТОВ И РАЗРАБОТКА SPICE МОДЕЛЕЙ КМОП ЭЛЕМЕНТНОЙ БАЗЫ МИКРОСХЕМ, ИЗГОТОВЛЕННЫХ ПО ТЕХНОЛОГИИ «КРЕМНИЙ НА САПФИРЕ» С ТОЛЩИНОЙ АКТИВНОГО СЛОЯ КРЕМНИЯ 600 НМ

Объектом исследования на первом этапе выполнения НИР являются электрические характеристики и параметры тестовых КМОП структур, изготовленных по технологии «кремний на сапфире» с толщиной активного слоя кремния 600 нм. Целью данного этапа является получение необходимых исходных данных для выполнения следующих этапов работы. Для достижения поставленной цели были решены следующие задачи: – подготовка и настройка программно-аппаратного комплекса для экспериментальных исследований тестовых структур Заказчика; – проведение измерений ВАХ тестовых структур Заказчика; – анализ результатов измерений; – разработка схемотехнических SPICE-моделей тестовых структур для после-дующего моделирования КНС КМОП БИС ; – идентификация параметров SPICE-моделей; – верификация SPICE-моделей. При выполнении работы использовались методы экспериментального исследования электрических характеристик интегральных субмикронных электронных компонентов; методы статического анализа результатов измерений; оптимизационные методы. Результатами работы являются: – протоколы измерений указанных характеристик; – схемотехнические SPICE-модели. Для данной производственной технологии указанные результаты являются новыми. Результаты, полученные на данном этапе, будут использованы в качестве исходных данных на последующих этапах выполнения работы; в частности, для схемотехнического моделирования КНС КМОП БИС.