Разработка и исследование электронно-перестраиваемых конденсаторных структур на основе сегнетоэлектрических материалов

Объекты исследования или разработки: сегнетоэлектрические пленки, high-к диэлектрики, встречно-штыревые преобразователи. Цели работы: технология изготовления планарных высокоэффективных электронно-перестраиваемых конденсаторных структур большой емкости на основе сегнетоэлектрических пленок для радиоэлектронных, радиотехнических систем и устройств СВЧ диапазона. Содержание работ этапа 2: исследование электрофизических свойств сформированных сегнетоэлектрических пленок на различных подложках; исследование свойств полученных пленок на основе high-к диэлектриков; расчет топологии планарных электронно-перестраиваемых конденсаторных структур на основе полученных параметров выращенных сегнетоэлектрических пленок. Основные результаты работы этапа 2 заключаются в следующем: исследованы электрофизические свойства структур металл-диэлектрик-полупроводник (МДП) и металл-диэлектрик-металл (МДМ) на основе сегнетоэлектрических пленок состава Ba0.8Sr0.2TiO3 (BST); исследованы электрофизические свойства МДМ – структур на основе пленок оксида гафния при различных режимах технологических условий их получения; выполнен расчет топологии планарных электронно-перестраиваемых конденсаторных структур на основе сегнетоэлектрических пленок состава BST.