ИКРБС
№ 224022600481-9Разработка базовых маршрутов проектирования и изготовления фотошаблонов для производства полупроводниковых изделий с проектными нормами 90-65 нм
25.01.2024
Объектом исследования является разработка базовых маршрутов проектирования и изготовления фотошаблонов, определение перечня и технических требований к технологическому оборудованию и материалам для изготовления комплектов фотошаблонов разных групп сложности (стандартных бинарных, сложных бинарных с элементами коррекции эффектов оптической близости и полутоновых фазосдвигающих фотошаблонов) для производства ИС с проектными нормами до 90-65 нм.
Целью работы является формирование базовых технических требований для изготовления фотошаблонов для производства полупроводниковых изделий с проектными нормами до 65 нм, разработка базовых маршрутов проектирования и изготовления фотошаблонов, определение перечня и требований к техническим характеристикам необходимого технологического оборудования для изготовления фотошаблонов для производства полупроводниковых изделий с проектными нормами до 65 нм в рамках проекта создания научно-технологического центра по изготовлению фотошаблонов с проектными нормами 90-65 нм на базе НИУ МИЭТ.
В рамках выполнения НИР получены следующие результаты:
1) отчет о патентных исследованиях;
2) определен перечень технических требований к комплектам фотошаблонов для производства интегральных схем с проектными нормами 90-65 нм;
3) описаны этапы разработки базового маршрута проектирования и изготовления фотошаблонов, включая стандартные бинарные, сложные бинарные с элементами коррекции эффектов оптической близости, полутоновые фазосдвигающие фотошаблоны;
4) определен состав и технические требования к оборудованию для процессов изготовления фотошаблонов. Перечень материалов, процессных и технологических газов, используемых в технологических операциях при изготовлении фотошаблонов.
5) подготовлен проект ТЗ на ОКР по разработке технологического процесса изготовления фотошаблонов для производства полупроводниковых изделий с проектными нормами 90-65 нм на базе НИУ МИЭТ.
Результаты работы полученные при выполнении НИР будут использованы в ОКР и последующих НИР связанные с данной тематикой.
ГРНТИ
47.13.11 Технология и оборудование для производства полупроводниковых приборов и приборов микроэлектроники
Ключевые слова
Микроэлектроника
фотошаблон
фотошаблонная заготовка
технология
производство
полупроводниковые приборы
Детали
НИОКТР
Заказчик
МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
Исполнитель
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ АВТОНОМНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ "МОСКОВСКИЙ ИНСТИТУТ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ"
Бюджет
Средства федерального бюджета: 300 000 000 ₽
Похожие документы
Разработка базовых маршрутов проектирования и изготовления фотошаблонов для производства полупроводниковых изделий с проектными нормами 90–65 нм
0.989
НИОКТР
Исследование технологии создания фотошаблонных заготовок и фотошаблонов, поиск технологических решений и создание на их основе макета фотошаблонной заготовки
0.953
ИКРБС
Разработка технологического процесса изготовления сложных бинарных фотошаблонов, включая проектирования дизайна, с элементами компенсации оптической близости ОРС (OpticalProximityCorrection) для производства ИС
с проектными нормами 130 нм с применением техники повышения разрешения RET (ReticleEnhancementTechnique)
0.928
НИОКТР
Разработка технологического процесса проектирования дизайна фотошаблона и подготовки управляющей информации для технологических автоматов переноса изображения с использованием программно-аппаратного комплекса в обеспечение производства изделий микроэлектроники и ЭКБ
0.928
НИОКТР
Разработка технологического процесса проектирования дизайна фотошаблона и подготовки управляющей информации для технологических автоматов переноса изображения с использованием программно-аппаратного комплекса в обеспечение производства изделий микроэлектроники и ЭКБ
0.928
ИКРБС
Разработка методики, программного обеспечения и модернизация технологического оборудования с целью постановки процесса изготовления фотошаблонов размером 7 дюймов, используемых в технологии производства устройств нано- и микросистемной техники
0.916
ИКРБС
Исследование технологических решений создания фотошаблонов и фотошаблонных заготовок для производства изделий с проектными нормами 28 нм
0.916
НИОКТР
«Разработка технологического процесса изготовления сложных бинарных фотошаблонов, включая проектирования дизайна, с элементами компенсации оптической близости ОРС (OpticalProximityCorrection) для производства ИС с проектными нормами 130 нм с применением техники повышения разрешения RET (ReticleEnhancementTechnique)», шифр «Маска-130»
0.912
ИКРБС
«Разработка технологического процесса изготовления сложных бинарных фотошаблонов, включая проектирования дизайна, с элементами компенсации оптической близости ОРС (OpticalProximityCorrection) для производства ИС с проектными нормами 130 нм с применением техники повышения разрешения RET (ReticleEnhancementTechnique)», шифр «Маска-130»
0.910
ИКРБС
«Разработка технологического процесса изготовления сложных бинарных фотошаблонов, включая проектирования дизайна, с элементами компенсации оптической близости ОРС (OpticalProximityCorrection) для производства ИС с проектными нормами 130 нм с применением техники повышения разрешения RET (ReticleEnhancementTechnique)», шифр «Маска-130»
0.908
ИКРБС