Создание методики и многоканального многочастотного СВЧ радиотермографа на основе монолитных интегральных схем для нахождения 3D распределения и динамики радиояркостной температуры в глубине тела человека

В ходе выполнения первого этапа были выполнены следующие работы: проведены комплексные исследования на стенде помеховой обстановки с записью спектрограмм помех в частотных диапазонах радиотермометрии, проведен анализ спектрограмм помех и выбор метода подавления помех; разработан алгоритм подавления помех при проведении радиотермометрических измерений, разработан программный модуль подавления помех, проведены моделирование помеховой обстановки и проверка эффективности алгоритма подавления помех на модели; проведены исследования влияния неоднородности диэлектрической проницаемости тканей человека, включая кожу, на точность измерения внутренней температуры и исследована возможность минимизации ее влияния; проведено моделирование процессов тепловыделения и теплопередачи в глубине тела человека при наличии злокачественных новообразований; разработана методика повышения точности измерения радиояркостных температур с помощью многоканального многочастотного радиотермографа на основе совершенствования методов калибровки по глубине биологического объекта с применением фантома злокачественного новообразования и специального стенда; разработан и изготовлен специальный стенд для калибровки многоканального многочастотного радиотермографа, предназначенный для измерения 3D-поля температур внутри тела человека методом микроволновой радиотермометрии; исследованы процессы тепловыделения в радиометрическом приемнике на основе МИС технологий и разработаны требования к динамическому диапазону радиометрического приемника в условиях активных помех; исследовано влияние погрешностей изготовления на параметры транзисторов для монолитных интегральных схем СВЧ и выявлены ключевые факторы, определяющие стабильность работы транзистора; проведен поиск и численное моделирование перспективных транзисторных гетероструктур в системе широкозонных полупроводниковых материалов группы А3-В5; результаты исследований представлены на международных и российских конференциях и в СМИ; по результатам исследования опубликованы научные статьи в журналах, индексируемых в RSCI и/или Scopus.