ИКРБС
№ 224052300020-0ИССЛЕДОВАНИЕ И ОПТИМИЗАЦИЯ СПОСОБОВ ОТВОДА ТЕПЛА ОТ КАНАЛА ТРАНЗИСТОРА ДЛЯ СНИЖЕНИЯ ТЕМПЕРАТУРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ УСТРОЙСТВ
13.11.2023
Целью работы является исследование влияния диэлектрических слоёв на температуру канала транзистора.
В данном научно–техническом отчёте описаны результаты второго этапа работ по Исследование и оптимизация способов отвода тепла от канала транзистора для снижения температуры полупроводниковых структур
1. Построена математическая модель, предназначенная для изучения тепловых процессов в интегральной схеме и оценки воздействия различных диэлектрических слоев на тепловое сопротивление в СВЧ МИС на основе GaAs.
2. Создан макет для проверки разработанной математической модели.
ГРНТИ
47.33.37 Приборы функциональной микроэлектроники
Ключевые слова
КОНДЕНСАТОР
НАГРЕВ
ДИОКСИД ЦИРКОНИЯ
ПАССИВИРУЮЩИЙ СЛОЙ
HEMT – ТРАНЗИСТОРЫ
Детали
НИОКТР
Заказчик
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "ТОМСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ СИСТЕМ УПРАВЛЕНИЯ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ"
Исполнитель
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "ТОМСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ СИСТЕМ УПРАВЛЕНИЯ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ"
Бюджет
Собственные средства организаций: 1 000 000 ₽
Похожие документы
Исследование и оптимизация способов отвода тепла от канала транзистора для снижения температуры полупроводниковых устройств
0.891
НИОКТР
Исследование и оптимизация способов отвода тепла от канала транзистора для снижения температуры полупроводниковых устройств
0.891
НИОКТР
Разработка способа оптимизации температурной зависимости электрофизических параметров гетероструктуры GaAs-AlGaAs посредством управления параметрами контактного n+-слоя и высокоомной области.
Изготовление резаных пластин поликристаллического нелегированного GaAs толщиной 1500-2000 мкм из исходных слитков арсенида галлия для проведения процессов эпитаксии.
Оптимизация величины удельной емкости структур варьированием параметров эпитаксиального процесса.
Разработка технологического маршрута пассивации боковой поверхности меза-канавок, сформированных на гетероструктурах GaAs-AlGaAs с использованием метода атомно-слоевого осаждения.(Промежуточный)
0.885
ИКРБС
Исследование тепловых процессов в 2,5D приемо-передающих субмодулях СВЧ диапазона, построенных на основе Si TSV-интерпозеров.
0.883
НИОКТР
Исследование кинетики спектральных характеристик токового шума элементов и узлов МИС СВЧ в результате действия перепадов температуры и ИИ. Этап 4
0.883
ИКРБС
ТЕОРЕТИЧЕСКОЕ И ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ТЕПЛОВЫХ РЕЖИМОВ ЭЛЕКТРОННОЙ КОМПОНЕНТНОЙ БАЗЫ СВЧ ДИАПАЗОНА НА ОСНОВЕ НИТРИДА ГАЛЛИЯ (заключительный)
0.881
ИКРБС
НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ОТЧЕТ о выполнении этапа 1 НИР "Разработка СВЧ гетероструктурного сверхмалошумящего транзистора диапазона 0.5 - 18 ГГц"
0.880
ИКРБС
Моделирование эффективных многосекционных термоэлементов для рабочих температур до 1200 К с учетом тепло- и электрофизических параметров используемых термоэлектрических материалов и контактных систем
0.878
ИКРБС
«Экспериментальные исследования кинетики параметров элементов и узлов полупроводниковой СВЧ электроники в результате действия перепадов температуры и ИИ»(промежуточный)
0.876
ИКРБС
Исследование влияния диффузионных процессов в AlAs/GaAs резонансно-туннельных гетероструктурах на электрические характеристики и надежность устройств для нелинейных преобразований частоты радиосигналов на их основе
0.876
ИКРБС