Разработка базовой конструкции гетероструктуры GaAs-AlGaAs для высокотемпературных применений. Изготовление резаных пластин монокристаллического легированного GaAs толщиной 480-520 мкм из исходных слитков арсенида галлия для проведения процессов эпитаксии. Доработка метода комплексного легирования примесями эпитаксиальных слоев в системе GaAs-AlGaAs применительно к высокотемпературным требованиям. Разработка технологических основ формирования высокоомной p-i-n-области с заданным профилем распределения концентрации носителей применительно к высоко-температурным требованиям. Оптимизация режимов нанесения пассивирующих покрытий на поверхность гетероструктур GaAs-AlGaAs методом атомно-слоевого осаждения. (Промежуточный)

Отчет 109 с., 1 кн., 76 рис., 25 табл.,28 формул, 47 источн., 10 прил. ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА, ЖИДКОФАЗНАЯ ЭПИТАКСИЯ, ГЕТЕРОСТРУКТУРА, АРСЕНИД ГАЛЛИЯ-АЛЮМИНИЯ, МНОГОСЛОЙНЫЕ КОМПОЗИЦИИ, ВЫСОКООМНАЯ ОБЛАСТЬ, СИЛОВОЙ ДИОД, ВРЕМЯ ОБРАТНОГО ВОССТАНОВЛЕНИЯ Целью НИОКР является разработка гетероструктур арсенида галлия-алюминия и технологии их производства для приборов высокотемпературной электроники. В ходе выполнения 1 этапа НИОКР достигнуты следующие результаты: - разработана базовая конструкция функциональных слоев и высокоомной области p-i-n-гетероструктуры для различных номинальных значений обратного напряжения - Uобр= 400 В, 600 В, 900 В и 1200 В; - проведена оптимизация метода комплексного легирования примесями эпитаксиальных слоев GaAs-AlGaAs, в ходе которой определена базовая система легирующих добавок: для i-области Ga2O3 и Si на уровне 0,03±0,005ат.% и 0,004±0,0005 ат.%, соответственно; для буферного р-слоя - Ge на уровне 0,0016 - 0,012 ат.%; для контактного слоя - Те на уровне 0,0035- 0,0059 ат. %; - разработаны технологические приемы управления профилем распределения концентрации носителей в высокоомной p-i-n-области гетероструктуры, основанные на использовании малых добавок примесей, входящих в разные подрешетки арсенида галлия; установлены диапазоны концентраций в растворе-расплаве таких легирующих добавок: для Sn - 0,0016-0,0020 ат.% и для Те - 2,0•10-09 - 7,5•10-09 ат. %; - разработаны режимы нанесения пассивирующих покрытий на поверхность гетероструктур GaAs-AlGaAs методом атомно-слоевого осаждения; установлено, что наилучшие структурные и электрические характеристики пленок достигаются у покрытий оксида алюминия полученных методом АСО при температуре 300°C на подложках, обработанных в растворе HCl.. - изготовлены резаные пластины монокристаллического легированного GaAs толщиной 480-520 мкм из исходных слитков арсенида галлия в количестве 3,163 кг; - в рамках внебюджетного финансирования проведены разработка и апробация в технологическом процессе усовершенствованной конструкции высокопроизводительного графитового ростового устройства Перечень, объем, и содержание выполненных работ по 1 этапу в полной мере соответствуют Техническому заданию и Календарному плану НИОКР и обеспечивают успешное достижение цели НИОКР.