РАЗРАБОТКА ВЫСОКОИНТЕНСИВНОГО ИСТОЧНИКА УФ-ИЗЛУЧЕНИЯ СПЛОШНОГО СПЕКТРА ДЛЯ УСТАНОВОК КОНТРОЛЯ КАЧЕСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВ В МИКРОЭЛЕКТРОНИКЕ. Этап 1 (промежуточный). Эскизное проектирование источника УФ-излучения. Разработка эскизной КД на источник УФ-излучения. Разработка и изготовление технологической оснастки для изготовления макетных образцов источников УФ-излучения. Разработка и изготовление откачного поста сверхвысокого давления. Разработка программы и методик испытаний макета источника УФ-излучения на соответствие требованиям к излучательным характеристикам

Объектом исследований является высокоинтенсивный источник УФ-излучения сплошного спектра, предназначенный для установок контроля качества полупроводников в микроэлектронике. Целю работы было эскизное проектирование источника УФ-излучения, разработка эскизной КД на источник УФ-излучения, разработка и изготовление технологической оснастки для изготовления макетных образцов источников УФ-излучения, разработка и изготовление откачного поста сверхвысокого давления, разработка программы и методик испытаний макета источника УФ-излучения на соответствие требованиям к излучательным характеристикам. В ходе выполнения 1 этапа НИР получены следующие научные и практические результаты: 1. На основе выполненного анализа принципов эллипсометрии и фотолитографии установлено, что источник УФ-излучения должен обеспечивать высокую интенсивность излучения, равномерность освещенности облучаемой поверхности, стабильность потока излучения, что достигается применением непрерывного оптического разряда (НОР), поддерживаемого лазерным излучением. 2. Обзор физических процессов в поддерживаемом лазером разряде доказал необходимость: - использования в качестве рабочей среды ксенона с давлением не выше 20 бар, - для материала оболочки лампы необходимо выбирать марку кварцевого стекла с оптической прозрачностью от 160 нм и не содержащего в своей структуре ОН-групп. - с целью исключения рассеивания и точной фокусировки лазерного излучения в центр колбы требуется эллиптическая форма разрядного объема. 3. Выполненные исследования температурного профиля оболочек короткодуговых ксеноновых ламп сверхвысокого давления позволили по разработанной методике выполнить расчет толщины колбы (не менее 2,5 мм) разрабатываемого источника излучения. 4. По результатам теоретического анализа и расчетных исследований разработаны: - эскизная документация на разрабатываемый источник УФ-излучения; - комплект КД на технологическую оснастку; - конструкция откачного поста для заполнения ламп ксеноном до давления 30 бар; - программа – методики испытаний на соответствие требований к характеристикам излучения разрабатываемого источника УФ-излучения. 5. В процессе разработки проводились конструкторские исследования отдельных элементов разрабатываемой лампы на надежность и технологическую реализацию и воспроизводимость. 6. Степень внедрения – разработанная конструкторская документация и изготовленные откачной пост и технологическая оснастка позволяют приступить к выпуску макетов высокоинтенсивного источника УФ-излучения сплошного спектра. Работа выполнена в полном объеме и соответствует требованиям Технического Задания и Договора.