ИКРБС
№ 224080500042-3Разработка и исследование электронно-перестраиваемых конденсаторных структур на основе сегнетоэлектрических материалов
28.06.2024
Отчет 40с., 10 рис., 59 источн., 1 прил.
ПЬЕЗОЭЛЕКТРИКИ, ЭЛЕКТРОАКУСТИЧЕСКИЕ ВОЛНЫ, ЩЕЛЕВОЙ ЗАЗОР, СКОРОСТЬ СДВИГОВЫХ ВОЛН, PT-СИММЕТРИЯ, ИСКЛЮЧИТЕЛЬНЫЕ ТОЧКИ, ЩЕЛЕВЫЕ ВОЛНЫ, ПЛЕНКИ, СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКИ, ОКСИД ГАФНИЯ
Объектом исследования являются пьезоэлектрические и сегнетоэлектрические гетероструктуры, а также сегнетоэлектрические пленки оксида гафния, созданные методом магнетронного распыления.
Цели работы:
- исследование сдвиговых волн в щелевой структуре двух различных пьезоэлектрических материалов BaTiO3/PbTiO3;
- исследование распространения щелевых сдвиговых волн в квази PT-симметричной пьезоэлектрической гетероструктуре вблизи точки вырождения моды;
- получение сегнетоэлектрических пленок оксида гафния методом магнетронного распыления для изготовления на их основе планарных высокоэффективных электронно-перестраиваемых конденсаторных структур большой емкости.
Содержание работ этапа 4:
- исследование изменений спектральных свойств электроакустических сдвиговых волн в щелевой структуре двух пьезоэлектриков;
- исследование распространения сдвиговых волн в квазисимметричной структуре с зазором, образованной двумя одинаковыми пьезоэлектрическими кристаллами;
- получение сегнетоэлектрических пленок оксида гафния методом магнетронного распыления.
Основные результаты работы этапа 4 заключаются в следующем:
- установлено, что в структуре PbTiO3 – вакуумный зазор – BaTiO3 при одинаковых скоростях сдвиговых волн отличия в коэффициентах электромеханической связи кристаллов даже при одинаковых скоростях распространения в них приводят к заметному расхождению асимптот дисперсионных ветвей симметричной и антисимметричной мод.
- показано, что при отсутствии ослабления и усиления спектр электроакустических волн для двух материалов: титаната бария и фресноита состоит из «симметричной» и «антисимметричной» мод.
- даны предложения по улучшению качества формирования сегнетоэлектрических пленок оксида гафния методом магнетронного распыления. Предложены новые подходы к отжигу плёнок, приводящие к уменьшению количества дефектов и улучшению их электрических свойств, а также способы управления процессом кристаллизации, для минимизации токов утечки и повышения термической стабильности плёнок.
ГРНТИ
29.19.35 Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики
29.19.16 Физика тонких пленок. Поверхности и границы раздела
Ключевые слова
ПЬЕЗОЭЛЕКТРИКИ
ЭЛЕКТРОАКУСТИЧЕСКИЕ ВОЛНЫ
ЩЕЛЕВОЙ ЗАЗОР
СКОРОСТЬ СДВИГОВЫХ ВОЛН
PT-СИММЕТРИЯ
ИСКЛЮЧИТЕЛЬНЫЕ ТОЧКИ
ЩЕЛЕВЫЕ ВОЛНЫ
ПЛЕНКИ
СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКИ
ОКСИД ГАФНИЯ
Детали
НИОКТР
Заказчик
МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
Исполнитель
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А.Котельникова Российской академии наук
Бюджет
Средства федерального бюджета: 8 600 000 ₽
Похожие документы
Разработка и исследование электронно-перестраиваемых конденсаторных структур на основе сегнетоэлектрических материалов
0.927
ИКРБС
Разработка и исследование электронно-перестраиваемых конденсаторных структур на основе сегнетоэлектрических материалов
0.927
ИКРБС
Исследование акустических волн в пьезоэлектрических материалах для создания термостабильных и термостойких акустоэлектронных устройств
0.927
Диссертация
Механика неоднородных сред в условиях воздействия механических факторов, физических полей и температуры
0.923
ИКРБС
Электропроводность и барьерные эффекты в сегнетоэлектрических пленочных гетероструктурах
0.922
ИКРБС
Разработка высокоэффективных пьезо- и пироэлектрических материалов для устройств микроэлектромеханики
0.922
ИКРБС
Механика неоднородных сред в условиях воздействия механических факторов, физических полей и температуры
0.921
ИКРБС
Механика неоднородных сред в условиях воздействия механических факторов, физических полей и температуры
0.920
ИКРБС
Развитие физико-технических основ построения и технологии формирования нано- и микросистем на основе пленочных и монокристаллических пьезоэлектрических материалов для элементной базы радиоэлектроники, микросистемной техники и приборостроения
0.920
ИКРБС
НАНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПЛЕНКИ И ГИБРИДНЫЕ НАНОСТРУКТУРЫ НА ИХ ОСНОВЕ ДЛЯ УСТРОЙСТВ АЛЬТЕРНАТИВНОЙ ЭНЕРГЕТИКИ
0.918
ИКРБС