Разработка ключевых элементов технологий изготовления и моделирования СВЧ, фотонных и фотонно-электронных интегральных схем на базе полупроводниковых материалов "кремний на изоляторе" и SiGe, а также радиочастотных и оптоэлектронных модулей на этой основе

Основанием для проведения исследования является частное техническое задание (ЧТЗ) на выполнение подпроекта «Разработка ключевых элементов отечественных технологий изготовления и моделирования СВЧ, фотонных и фотонно-электронных интегральных схем на базе различных полупроводниковых материалов, а также радиочастотных и оптоэлектронных модулей на этой основе» в рамках стратегического проекта №1 «Микроэлектроника и системы связи», программы стратегического академического лидерства «Приоритет-2030». Общими целями подпроекта являются: - Разработка и исследование широкополосных интегральных схем (ИС) СВЧ усилителей и других устройств, оптоэлектронных элементов и фотонных ИС (ФИС), а также радиочастотных приемопередатчиков с рабочими полосами до 40 ГГц на основе СВЧ ИС, оптических приемопередатчиков с одноканальными скоростями передачи до 25 Гбит/с на основе ФИС. - Разработка и исследование конструкций и технологических операций изготовления, измерение характеристик фотодиодов ФД на основе pin-переходов на отечественных полупроводниковых подложках InP, низкобарьерных диодов с контактом Шоттки для приёмников терагерцового излучения на основе GaAs технологии. - Разработка и исследование конструкций и технологических операций изготовления, измерение характеристик оптических пассивных элементов на основе пленочной технологии Si3N4/SiO2 на кремнии и технологии «кремний-на-изоляторе» (КНИ). - Исследование и моделирование оптических измерительных преобразователей на пленках Si3N4/SiO2. В отчете представлены результаты, полученные в 2022 году по следующим направлениям: 1) Обзор и анализ отечественных Si КМОП и GaAs технологий с точки зрения реализации ИС трансимпедансных усилителей (ТИУ) для оптических приемников. 2) Разработка и исследование схемного решения и топологии, электромагнитное моделирование ИС ТИУ на базе отечественной Si КМОП технологии для оптического приемника со скоростью 2,5 Гбит/с. 3) Разработка и исследование технологических операций изготовления и конструкций фотодиодов ФД на основе pin-переходов на отечественных полупроводниковых подложках InP. 4) Разработка и исследование конструкций и технологических операций изготовления низкобарьерных диодов с контактом Шоттки для приёмников терагерцового излучения на основе отечественной GaAs технологии. 5) Разработка и исследование конструкций и технологических операций, моделирование, изготовление и измерение макетов оптических пассивных элементов на основе отечественной пленочной технологии Si3N4/SiO2 на кремнии. 7) Исследование и моделирование оптических измерительных преобразователей на пленках Si3N4/SiO2.