ИКРБС
№ 224102400060-7

ОТЧЕТ О НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКОЙ РАБОТЕ по теме: Гибридные материалы с мемристивными свойствами на основе сегнетоэлектриков и аморфных кремний- углеродных плёнок (заключительный)

15.12.2023

В ходе выполнения 3 года проекта были отработаны технологические параметров изготовления структур на композитах типа “кремний-углеродная пленка (КУП) на кристалле с ЗДС”. Показано, что оптимальной температурой испарения полифенилметилсилоксана (ПФМС) в резервуаре рабочей камеры с исходным веществом является 350 ^, а оптимальной температурой подложки для получения КУП с минимальным количеством дефектов и максимальной скоростью осаждения - 200 ^. Оптимальными параметрами потенциала, подаваемого на подложку для формирования тянущего ионы поля за счёт локализации электронного облака вблизи подложки, стали частота 200 кГц и соотношение положительного и отрицательного пикового значения напряжения, равного 100/400 В/В. Изготовленные композитные структуры типа “кремний-углеродная пленка на кристалле с ЗДС” были исследованы методами атомно-силовой микроскопии при помощи зондового микроскопа MFP-3D Asylum Research. Отработана методика сканирования композитных структур при помощи атомно-силового микроскопа. В соответствии с моделью Герца найден эффективный радиус кантилевера - 7нм. Визуализирована доменная сегнетоэлектрическая структура после переключения проводящего состояния мемристивной структуры методом силовой микроскопии пьезоотклика. Глубина детектирования пьезоэлектрических доменов составила 1-2 мкм. Методом токовой атомно-силовой микроскопии (c- AFM) была определена ширина проводящего канала ЗДС в структурах типа “кремний-углеродная пленка на кристалле с ЗДС”, которая составляла 200 нм. Исследована электропроводность ЗДС в структуре типа “кремний-углеродная пленка на кристалле с ЗДС” методом токовой атомно-силовой микроскопии (c-AFM). Методом Кельвина исследовано зарядовое состояние композитных структур типа “КУП на кристалле с ЗДС” до и после многократных циклов перезаписи. Отработаны параметры методики получения мемристорных структур в композитных материалах с оптимальными характеристиками.
ГРНТИ
29.19.35 Сегнето- и антисегнетоэлектрики
29.19.22 Физика наноструктур. Низкоразмерные структуры. Мезоскопические структуры
Ключевые слова
ниобат лития
заряженная доменная стенка
мемристивный эффект
резистивное переключение
сегнетоэлектрические системы
полярные биоматериалы
наноэлектромеханика
онкие пленки
сегнетоэлектрики
Детали

НИОКТР
Заказчик
Российский научный фонд
Исполнитель
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС"
Бюджет
Средства фондов поддержки научной и (или) научно-технической деятельности: 6 000 000 ₽
Похожие документы
Отчет о научно-исследовательской работе по теме "Гибридные материалы с мемристивными свойствами на основе сегнетоэлектриков и аморфных кремний-углеродных пленок" (промежуточный, этап 1)
0.946
ИКРБС
ОТЧЕТ О НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКОЙ РАБОТЕ по теме: Гибридные материалы с мемристивными свойствами на основе сегнетоэлектриков и аморфных кремний-углеродных плёнок (промежуточный, этап 2)
0.930
ИКРБС
Новые магнитоэлектрические композитные материалы на основе оксидных сегнетоэлектриков с упорядоченной доменной структурой: получение и свойства (заключительный, этап 4)
0.925
ИКРБС
Пористые диэлектрики и сегнетоэлектрики для новых поколений устройств микро- и наноэлектроники (заключительный)
0.922
ИКРБС
ИССЛЕДОВАНИЕ ПОЛИМЕРНЫХ КОМПОЗИЦИОННЫХ МАТЕРИАЛОВ С ФЕРРИТО-УГЛЕРОДНЫМИ НАНОЧАСТИЦАМИ, СОЗДАВАЕМЫХ ПО АДДИТИВНОЙ ТЕХНОЛОГИИ, ДЛЯ РАСШИРЕНИЯ ФУНКЦИОНАЛЬНЫХ ВОЗМОЖНОСТЕЙ ТЕРАГЕРЦОВОЙ ТЕХНИКИ (заключительный)
0.913
ИКРБС
Разработка технологии получения полифункциональных прозрачных полимерных сегнетоэлектрических материалов для создания на их основе активных компонентов гибкой гибридной электроники
0.913
ИКРБС
ОТЧЕТ О НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКОЙ РАБОТЕ по теме: Гибридные мультиферроики: свойства и применение (заключительный)
0.912
ИКРБС
Разработка технологии получения полифункциональных прозрачных полимерных сегнетоэлектрических материалов для создания на их основе активных компонентов гибкой гибридной электроники
0.912
ИКРБС
Разработка и исследование электронно-перестраиваемых конденсаторных структур на основе сегнетоэлектрических материалов
0.911
ИКРБС
Исследование поверхности и границ раздела каталитических и буферных слоев в микро- и наноэлектронных устройствах на основе углеродных наноматериалов
0.911
ИКРБС