ИКРБС
№ 225020306911-3

Гибкие светоизлучающие перовскитные CsPbX(Br,Cl,I)3 структуры с распределенным электрическим контактом на основе массивов полупроводниковых нитевидных нанокристаллов с инкапсуляцией в прозрачные силиконовые резины (промежуточный, этап 3)

28.12.2024

Проект направлен на разработку гибких светоизлучающих структур на основе слоев перовскитных соединений CsPbX(Br,Cl,I)3, нанесенных на силиконовые матрицы (силиконовые резины) с внедренными вертикально ориентированными проводящими полупроводниковыми нитевидными нанокристаллами (ННК), а также на получение силиконовых материалов, выполняющих различные функции в составе оптоэлектронных устройств. На перовом и втором этапах проекта были получены уникальные двухслойные силиконовые материалы, обеспечивающие защиту перовскитного слоя в составе светоизлучающей перовскитной ячейки от воздействия внешней среды (вода, кислород и т.п.). Предложены прозрачные гибкие силиконовые материалы (PDMS) для инкапсуляции распределенных электродов к светоизлучающему слою перовскита на основе массивов GaPННК. Синтезированы защитные самозалечивающиеся (self-healing) силиконовые материалы на основе соединений никеля(II), способные восстанавливать свою исходную форму после механических повреждений или электрического пробоя. На третьем этапе в дополнение к перовскитам был синтезирован самозалечивающийся металлополимерный комплекс на основе бипиридин-содержащего сополисилоксана и соединений иридия(III) и цинка(II) (Zn-Ir-BipyPDMS), который был апробирован как фотопреобразователь для УФ излучения. Для этого были разработаны гибкие светодиодные мембраны на основе массивов AlGaN/GaN ННК, излучающие свет в УФ диапазоне, и инкапсулированные в PDMS. Исследованы их вольт-амперные и спектральные характеристики. Получены гибкие светодиоды состава AlGaN/GaNННК/PDMS/SWCNT с прозрачными электродами на основе слоев одностенных углеродных нанотрубок (SWCNT), которые сохраняют свои электрофизические свойства после 50 циклов изгиба. Показано, что Zn-Ir-BipyPDMS эффективно поглощает УФ излучение от гибкого светодиода AlGaN/GaN ННК/PDMS/SWCNT и переизлучает его в желтой и оранжевой области спектра. Zn-Ir-BipyPDMS может быть объединен с УФ светодиодом AlGaN/GaN ННК/PDMS/SWCNT в монолитную мембрану, излучающую свет в видимом спектральном диапазоне. Также получены силиконовые композиты на основе многослойных углеродных нанотрубок, модифицированных с помощью ферроценилсодержащих соединений, которые могут быть использованы в качестве гибких полупроводников в составе оптоэлектронных устройств. По результатам проведенных исследований за третий год выполнения проекта опубликованы три статьи в журналах WoS и Scopus первого квартиля, подготовлена заявка на патент, сделан доклад на международной конференции. Разработанные в проекте материалы и подходы позволяют получить задел, необходимый для развития технологии создания гибких и растяжимых светоизлучающих диодов, что может привести к появлению новых гибких оптоэлектронных устройств, включая носимые, биосовместимые устройства, а также светоизлучающие ячейки и диоды, солнечные элементы и фотоприемные устройства. Использованные методы исследования: СЭМ, ПЭМ, спектроскопия электролюминесценции, фотолюминесценции, вольтамперометрия, КРС, РФЭС,парофазная эпитаксия из металлоорганических соединений, сополиконденсация, комплексообразование, реакция лигандного обмена, механические испытания и др.
ГРНТИ
31.25.19 Синтез высокомолекулярных соединений. Физико-химические основы синтеза высокомолекулярных соединений
29.19.16 Физика тонких пленок. Поверхности и границы раздела
29.19.22 Физика наноструктур. Низкоразмерные структуры. Мезоскопические структуры
Ключевые слова
ГИБКИЕ СВЕТОДИОДЫ
НИТЕВИДНЫЕ НАНОКРИСТАЛЛЫ
СИЛИКОНОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ
Детали

НИОКТР
Заказчик
Правительство Российской Федерации
Исполнитель
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ"
Бюджет
Средства федерального бюджета: 2 696 702 ₽
Похожие документы
Гибкие светоизлучающие перовскитные CsPbX(Br,Cl,I)3 структуры с распределенным электрическим контактом на основе массивов полупроводниковых нитевидных нанокристаллов с инкапсуляцией в прозрачные силиконовые резины (промежуточный, этап 2)
0.971
ИКРБС
ГИБКИЕ СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИЕ ПЕРОВСКИТНЫЕ CSPBX(BR,CL,I)3 СТРУКТУРЫ С РАСПРЕДЕЛЕННЫМ ЭЛЕКТРИЧЕСКИМ КОНТАКТОМ НА ОСНОВЕ МАССИВОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ НИТЕВИДНЫХ НАНОКРИСТАЛЛОВ С ИНКАПСУЛЯЦИЕЙ В ПРОЗРАЧНЫЕ СИЛИКОНОВЫЕ РЕЗИНЫ (промежуточный, этап 1)
0.961
ИКРБС
Гибкие светоизлучающие перовскитные CsPbX(Br,Cl,I)3 структуры с распределенным электрическим контактом на основе массивов полупроводниковых нитевидных нанокристаллов с инкапсуляцией в прозрачные силиконовые резины
0.953
НИОКТР
Гибкие светоизлучающие перовскитные CsPbX(Br,Cl,I)3 структуры с распределенным электрическим контактом на основе массивов полупроводниковых нитевидных нанокристаллов с инкапсуляцией в прозрачные силиконовые резины
0.953
НИОКТР
Растяжимые светоизлучающие диоды на основе перовскитных слоев CsPbBr3 с распределенными электродами из нитевидных нанокристаллов A3B5 и слоев одностенных углеродных нанотрубок
0.934
НИОКТР
Поиск путей создания гибких оптоэлектронных структур на основе массивов нанокристаллов полупроводниковых соединений А3В5
0.928
ИКРБС
Гибкие светоизлучающие диоды на основе полупроводниковых А3В5 наноструктур (075-15-2024-201)
0.925
ИКРБС
Гибкие светоизлучающие устройства на основе массивов нитевидных нанокристаллов GaP/GaPAs, инкапсулированных в полимерную матрицу.
0.925
НИОКТР
Гибкие светоизлучающие диоды на основе полупроводниковых А3В5 наноструктур
0.925
ИКРБС
Гибкие светоизлучающие диоды на основе полупроводниковых А3В5 наноструктур. Создание гибких светоизлучающих диодов красного спектрального диапазона с пиксельной адресацией
0.924
ИКРБС