Разработка фотонных компонентов для обеспечения отечественного производства оптических трансиверов на скорость 10 Гбит/с и более

Объектами исследования являются быстродействующие вертикально-излучающие лазеры (ВИЛ) с рабочей длиной волны излучения 850 нм и pin- фотодиоды спектрального диапазона 835-865 нм на основе полупроводниковых гетероструктур, полученных методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Цель исследования: разработка конструкции и технологии изготовления ВИЛ с рабочей длиной волны излучения 850 нм и pin- фотодиодов спектрального диапазона 835-865 нм для высокоскоростных оптических линий связи. В ходе выполнения Этапа I работы были разработаны конструкции, разработаны технологии изготовления, изготовлены и исследованы: экспериментальные образцы 1 поколения гетероструктур pin- фотодиода спектрального диапазона 835-865 нм; экспериментальные образцы 1 поколения гетероструктур вертикально- излучающего лазера с рабочей длиной волны излучения 850 нм; экспериментальные образцы 1 поколения кристаллов pin- фотодиода спектрального диапазона 835-865 нм; экспериментальные образцы 1 поколения кристаллов вертикально- излучающего лазера с рабочей длиной волны излучения 850 нм. Результаты работы будут использованы для оптимизации параметров конструкции и технологии изготовления экспериментальных образцов 2 поколения гетероструктур и кристаллов ВИЛ с рабочей длиной волны излучения 850 нм и pin- фотодиодов спектрального диапазона 835-865 нм