Разработка способа оптимизации температурной зависимости электрофизических параметров гетероструктуры GaAs-AlGaAs посредством управления параметрами контактного n+-слоя и высокоомной области. Изготовление резаных пластин поликристаллического нелегированного GaAs толщиной 1500-2000 мкм из исходных слитков арсенида галлия для проведения процессов эпитаксии. Оптимизация величины удельной емкости структур варьированием параметров эпитаксиального процесса. Разработка технологического маршрута пассивации боковой поверхности меза-канавок, сформированных на гетероструктурах GaAs-AlGaAs с использованием метода атомно-слоевого осаждения.(Промежуточный)

Отчет 95 с., 1 кн., 74 рис., 36 табл., 34 формул, 15 источн., 6 прил. ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА, ЖИДКОФАЗНАЯ ЭПИТАКСИЯ, ГЕТЕРОСТРУКТУРА, АРСЕНИД ГАЛЛИЯ-АЛЮМИНИЯ, МНОГОСЛОЙНЫЕ КОМПОЗИЦИИ, ВЫСОКООМНАЯ ОБЛАСТЬ, СИЛОВОЙ ДИОД, ВРЕМЯ ОБРАТНОГО ВОССТАНОВЛЕНИЯ Целью проекта является разработка гетероструктур арсенида галлия-алюминия, предназначенных для изготовления высоковольтных приборов с рабочей температурой до 250 оС, а также технологии их производства. В ходе выполнения 2 этапа НИОКР достигнуты следующие результаты: - разработан способ оптимизации температурной зависимости электрофизических параметров гетероструктуры GaAs-AlGaAs посредством управления параметрами контактного n+-слоя и высокоомной области; - изготовлены пластины из исходных слитков арсенида галлия для проведения процессов эпитаксии; - проведена оптимизация величины удельной емкости структур варьированием параметров эпитаксиального процесса; - разработан технологический маршрут пассивации боковой поверхности меза-канавок, сформированных на гетероструктурах GaAs-AlGaAs с использованием метода атомно-слоевого осаждения (ALD). В рамках внебюджетного финансирования проведены следующие работы: - разработана технология формирования меза-канавок глубиной до 100 мкм; - разработана технология дополнительной обработки боковой поверхности меза-канавок в жидкостных травителях перед нанесением защитных диэлектрических покрытий. Перечень, объем, и содержание выполненных работ по 2 этапу в полной мере соответствуют Техническому заданию и Календарному плану НИОКР и обеспечивают достижение цели НИОКР.