Разработка и исследование электронно-перестраиваемых конденсаторных структур на основе сегнетоэлектрических материалов

Объекты исследования или разработки: встречно-штыревые структуры Цели работы: технология изготовления планарных высокоэффективных электронно-перестраиваемых конденсаторных структур большой емкости на основе сегнетоэлектрических пленок для радиоэлектронных, радиотехнических систем и устройств СВЧ диапазона. Содержание работ этапа 5: изготовление и измерение электрофизических свойств планарных электронно-перестраиваемых конденсаторных структур; получение пленок оксида гафния методом магнетронного реактивного распыления в условиях кислородной бомбардировки; обобщение и оценка результатов исследований. Основные результаты работы этапа 5 заключаются в следующем: измерены электрофизические свойства встречно-штыревых планарных структур; проведенный структурный анализ показал, что присутствие кислородной бомбардировки в процессе роста пленки оксида гафния приводит к изменениям ближнего порядка в кристаллической структуре полученных пленок. В Заключении отчета выполнено обобщение и проведена оценка результатов исследований.