ИКРБС
№ 225052115922-0РАЗРАБОТКА ТЕХНОЛОГИЙ ИЗГОТОВЛЕНИЯ, МЕТОДОВ И СРЕДСТВ ПРОЕКТИРОВАНИЯ СВЧ И ФОТОННЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ НА БАЗЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ GAN, GAAS, INP, SI И SIGE, А ТАКЖЕ РАДИОЧАСТОТНЫХ И ОПТОЭЛЕКТРОННЫХ УСТРОЙСТВ И МОДУЛЕЙ НА ЭТОЙ ОСНОВЕ
30.11.2024
Цели работы – разработка технологического процесса и изготовление образцов СВЧ транзисторов на базе материала GaN; разработка и измерения ИС широкополосных СВЧ усилителей, трансимпедансных усилителей (ТИУ), драйверов и других устройств; разработка базовой версии комплекта средств проектирования (PDK) для отечественной GaAs технологии ИС; разработка конструкции, технологии сборки и экспериментального образца оптического приемника; создание схемного редактора и модуля электромагнитного моделирования для отечественной САПР СВЧ устройств на основе технологий МИС/ГИС.
Задачи работы:
Методология работы – прикладные исследования.
В ходе выполнения НИР получены следующие основные результаты:
– разработаны и исследованы конструкции и технологии сборки, изготовления и измерения характеристик экспериментального образца модуля оптического приемника со скоростью выше 10 Гбит/с.
– разработана технология изготовления и лабораторные образцы СВЧ транзисторов на основе 0,25 мкм GaN HEMT процесса.
– разработана базовая версия PDK и моделей элементов для GaAs pHEMT-технологии изготовления СВЧ ИС предприятия АО «НПФ «Микран».
– разработаны методика проектирования, образцы ИС широкополосных ТИУ и усилителей-драйверов для оптических приемников и передатчиков, ИС усилителей и других устройств для СВЧ приемопередатчиков на базе отечественных технологий.
– разработана методика измерения и построения моделей, измерительных плат, измерения характеристик и разработка моделей отечественных фотодиодов и лазерных диодов для оптических приемников и передатчиков.
– разработан схемный редактор, выполнена адаптация и подключение схемотехнического симулятора, разработан модуль электромагнитного моделирования для отечественной САПР СВЧ устройств на основе технологий МИС/ГИС.
Значимость работы – разработаны конструкции, образцы, методики проектирования, методики проектирования, схемный редактор и модуль электромагнитного моделирования применительно к ИС.
ГРНТИ
47.14.13 Проектирование и конструирование изделий электронной техники СВЧ-диапазона
47.14.07 Проектирование и конструирование полупроводниковых приборов и приборов микроэлектроники
47.09.48 Наноматериалы для электроники
47.13.07 Технология и оборудование для производства приборов и устройств наноэлектроники
Ключевые слова
ПРОГРАММНАЯ АРХИТЕКТУРА
СУБМОДУЛЬ ОПТИМИЗАЦИИ
МЕТОД МОМЕНТОВ
РАСЧЕТНАЯ СЕТКА
ТОПОЛОГИЧЕСКИЙ РЕДАКТОР
ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫЙ АНАЛИЗ
Детали
НИОКТР
Заказчик
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ АВТОНОМНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "ТОМСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ СИСТЕМ УПРАВЛЕНИЯ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ"
Исполнитель
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ АВТОНОМНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "ТОМСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ СИСТЕМ УПРАВЛЕНИЯ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ"
Бюджет
Собственные средства организаций: 37 435 454 ₽
Похожие документы
Разработка технологии и комплексного инструмента проектирования широкой номенклатуры СВЧ и силовых компонентов, изготавливаемых на основе гетероэпитаксиальных структур нитрида галлия на подложках кремния с проектными нормами до 0,25 мкм
0.941
НИОКТР
РАЗРАБОТКА АНАЛОГО-ЦИФРОВЫХ, СВЧ И ФОТОННЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, ПРИЕМО-ПЕРЕДАЮЩИХ МОДУЛЕЙ И СИСТЕМ НА КРИСТАЛЛЕ, А ТАКЖЕ ИХ ТЕХНОЛОГИЙ
0.938
ИКРБС
РАЗРАБОТКА АНАЛОГО-ЦИФРОВЫХ, СВЧ И ФОТОННЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, ПРИЕМО-ПЕРЕДАЮЩИХ МОДУЛЕЙ И СИСТЕМ НА КРИСТАЛЛЕ, А ТАКЖЕ ИХ ТЕХНОЛОГИЙ
0.936
ИКРБС
Разработка конструкторско-технологических решений создания МИС усилителей мощности на широкозонных полупроводниках для современной радиоаппаратуры в поддиапазоне частот 42-46 ГГц. Теоретические исследования поставленных перед ПНИ задач.
0.934
ИКРБС
Разработка и исследование технологии изготовления мощных СВЧ транзисторов и МИС на основе AlInGaN наногетероструктур на подложках полуизолирующего карбида кремния диаметром до 100 мм
0.930
ИКРБС
Экспериментальные исследования поставленных перед НИР задач
0.930
ИКРБС
Исследование конструктивно технологических принципов построения широкополосных усилительных и генераторных компонентов свч-диапазона на основе широкозонных полупроводников
0.930
ИКРБС
Разработка конструкторско-технологических решений создания электронной компонентной базы на широкозонных полупроводниках для современной радиоэлектронной аппаратуры в диапазоне частот 30 - 60 ГГц. Экспериментальные исследования поставленных перед ПНИ задач
0.928
ИКРБС
Разработка и исследование сверхвысокочастотных гетероструктурных GaAs-низкобарьерных диодов и монолитных интегральных схем на их основе
0.928
Диссертация
Исследование и разработка конструкции и технологии изготовления транзисторов для применения в СВЧ-усилителях мощности, на основе эпитаксиальных структур GaN, выращенных на полуизолирующем карбиде кремния 4Н 4 дюйма, с целью импортозамещения
0.928
ИКРБС