ИКРБС
№ 225012101354-0РАЗРАБОТКА НАУЧНЫХ ОСНОВ ТЕХНОЛОГИИ ПОЛУЧЕНИЯ ХЕМОРЕЗИСТИВНЫХ МАТЕРИАЛОВ ДЛЯ ЭЛЕКТРОННОГО НОСА НА ОСНОВЕ СЛОЖНЫХ НАНОСТРКУТУРИРОВАННЫХ ОКСИДНЫХ МАТРИЦ
17.12.2024
Был осуществлен плазмохимический синтез тройной оксидной системы InGaZnO (IGZO). Впервые тонкие пленки системы InGaZnO были получены методом плазмохимического осаждения из газовой фаза (PECVD) на подложках из высокочистого полированного с-сапфира.
Были проведены исследования неравновесной, химически-активной плазмы с помощью метода оптической фотоэмиссионной спектроскопии позволяют определить наличие активных частиц. Были определены оптимальные параметры осаждения. Было проведено исследование влияния энерговклада в плазменный разряд, температуры подложки, состава и стехиометрия плазмообразующих газовых смесей для выбора оптимальных параметров осаждения тонких пленок InGaZnO.
Также провели исследования лдля полученных пленок методами: сканирующей электронной микроскопии (СЭМ), энергодисперсионного анализа (EDX), атомно-силовой микроскопии (АСМ), рентгенофазового анализа (РФА), раман-спектроскопии (КРС). Провели исследования электрических, оптических свойств пленок InGaZnO.
Был создан газочувствительный сенсор на базе полученных материалов, и изучены его свойства. Для сенсора определили температурную чувствительность, временную зависимость тока.
ГРНТИ
31.17.15 Неорганическая химия
Ключевые слова
Плазма
Плазмохимический синтез
Пленки
Тонкие пленки
тройная оксидная система
оксид индия галлия цинка
InGaZnO
IGZO
Детали
НИОКТР
Заказчик
Российский научный фонд
Исполнитель
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ АВТОНОМНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ НИЖЕГОРОДСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМ. Н.И. ЛОБАЧЕВСКОГО"
Бюджет
Средства фондов поддержки научной и (или) научно-технической деятельности: 7 000 000 ₽
Похожие документы
Отчет
О научно-исследовательской работе
Разработка научных основ технологии получения хеморезиcтивных материалов для электронного носа на основе сложных наноструктурированных оксидных матриц
Промежуточный,Этап 2
0.940
ИКРБС
Функциональные материалы, наноматериалы и технологиипо теме:Разработка метода синтеза ультрадисперсных нанокомпозитов на основе полупроводниковых оксидов металлов для создания микроэлектронных химических газовых сенсоров с помощью струйной микропечати (промежуточный)
0.925
ИКРБС
Исследование механизмов формирования, структуры, электрофизических и оптических свойств дисперсных, объемных и тонкопленочных материалов с нанокристаллической структурой на основе многокомпонентных композиций широкозонных оксидов
0.925
ИКРБС
Отчет
О научно-исследовательской работе
Разработка научных основ технологии получения хеморезиcтивных материалов для электронного носа на основе сложных наноструктурированных оксидных матриц
Промежуточный,Этап 1
0.922
ИКРБС
Исследование механизмов формирования, микроструктуры, электрофизических и оптических свойств дисперсных, объемных и тонкопленочных функциональных материалов оптоэлектроники и сенсорики
0.922
ИКРБС
Разработка, создание и исследование фундаментальных свойств генерации оптического излучения прозрачных светоизлучающих устройств на базе наноструктур легированного различными элементами ZnS в диэлектрических матрицах
0.920
ИКРБС
Развитие методов синтеза и подходов к созданию элементов устройств сенсорики и плазмоники на основе тонкопленочных структур и наноматериалов из оксида цинка и диоксида ванадия
0.919
НИОКТР
Развитие методов синтеза и подходов к созданию элементов устройств сенсорики и плазмоники на основе тонкопленочных структур и наноматериалов из оксида цинка и диоксида ванадия
0.919
НИОКТР
1.10. Создание материалов для термоэлектрических генераторов, элементов прозрачной электроники, сенсорики, нанофотоники на основе широкозонных полупроводниковых оксидов и халькогенидов, модификация их реальной структуры и свойств внешними воздействиями
0.917
ИКРБС
РАЗРАБОТКА ФУНДАМЕНТАЛЬНЫХ ОСНОВ ХИМИЧЕСКИ УПРАВЛЯЕМОГО СИНТЕЗА ФУНКЦИОНАЛЬНЫХ НАНОРАЗМЕРНЫХ ПЛЕНОК НА ПОЛУПРОВОДНИКАХ А3В5 ДЛЯ ОПТО- И МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ, ГАЗОЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ СЕНСОРОВ
0.916
ИКРБС