Создание и исследование наногетероструктур на основе соединений А3В5 и композитных материалов и приборов на их основе

Исследованы эпитаксиальные технологии выращивания наногетероструктур на основе соединений А3В5 для вертикально-излучающих лазеров, А3В5 нитевидных нанокристаллов, III-N наногетероструктур для светодиодов и НЕМТ транзисторов, III-N резонансных структур, композитных материалов Si3N4/GaN и оксидов. Изучены электрофизические, оптические и структурные свойства созданных наногетероструктур. Исследована технология прямой ионной нанолитографии для разработки приборов наноэлектроники и нанофотоники. Исследованы электрооптические и тепловые характеристики мощных УФ-светодиодов (270 - 370 nm). Определены предельные энергетические возможности УФ-излучателей и факторы их ограничивающие. Исследованы токовые зависимости внешней квантовой эффективности и спектра излучения, а также временная деградация эффективности УФ светодиодов различного спектрального диапазона при наработке, воздействии повышенных температур и повышенного рабочего тока. Разработаны экспериментальные образцы мощных УФ излучателей различного назначения.