Исследование периферийных локализованных мод в токамаке

Объектом исследования являются краевые локализованные неустойчивости (ELMs) плазмы токамака Глобус-М2. Целью работы отчётного периода являлась подготовка диагностических комплексов к исследованию ELMs , накопление первичной базы данных событий ELMs в плазме токамака Глобус-М2 и их предварительный анализ. В отчётный период диагностикой томсоновского рассеяния накапливалась база данных с событиями, в которых зондирование плазмы происходило близко к моментам срывов краевой неустойчивости. Произведена настройка полихроматора ФЛИП4 и тестовые испытания. Разработана система сбора и обработки данных для обнаружения на них филаментов ELMs. Разработана и изготовлена схема для быстрой записи вольт-амперной характеристики подвижного ленгмюровского зонда. Проведены успешные измерения. Диагностика допплеровского обратного рассеяния (ДОР) зарегистрировала филаменты во время ELMs. Показано, что рассеяние на филаментах происходило в линейном режиме. Однако, в момент времени, который соответствует пику ELM происходит рассеяние в нелинейном режиме. Это соответствует представлению, что при сильном увеличении амплитуды рассеивающих филаментов скорость, восстанавливаемая по допплеровскому смещению частоты обратнорассеянного сигнала, может отличаться от реального значения. Создана модель, описывающая условия эксперимента по распространению электромагнитной волны в плазме токамака Глобус-М2 для диагностик ДОР. Получены выражения для спектра и амплитуды сигнала рассеяния зондирующей СВЧ волны сгучтком, вытянутым вдоль магнитной силовой линии. Проведены расчёты инкремента пилинг-баллонной неустойчивости с помощью решения системы МГД уравнений в одножидкостном приближении с изотропным давлением. Система уравнений переработана для анизотропного давления. Проведены вычисления инкрементов электростатических неустойчивостей в краевой плазме. Выполнены вычисления, качественно и количественно демонстрирующие влияние вариаций плотности плазмы на периферии на проникновение пучка и на радиальный профиль плотности тока быстрых ионов. Качественно и количественно продемонстрировано сильное влияние углового распределения источника быстрых ионов на профиль плотности тока быстрых ионов.