Исследование технологии создания фотошаблонных заготовок и фотошаблонов, поиск технологических решений и создание на их основе макета фотошаблонной заготовки

Объектом исследования являются технологии создания фотошаблонных заготовок (ФШЗ) и фотошаблонов (ФШ), поиск технологических решений и создание на их основе макета фотошаблонной заготовки. Целью работы является формирование элементов технологии создания фотошаблонных заготовок и фотошаблонов, а также поиск технологических решений и создание на их основе макета фотошаблонной заготовки с параметрами, приближенными к требованиям производства полупроводниковых изделий с проектными нормами 90-65 нм, а также определение перечня и требований к техническим характеристикам необходимого технологического оборудования для изготовления фотошаблонных заготовок и фотошаблонов для производства полупроводниковых изделий с проектными нормами до 65 нм в рамках проекта создания научно-технологического центра по изготовлению фотошаблонных заготовок и фотошаблонов с проектными нормами 90-65 нм на базе НИУ МИЭТ. В рамках выполнения НИР получены следующие результаты: 1) отчет о патентных исследованиях; 2) определен оптимальный состав двухкомпонентной мишени на основе Mo и Si для формирования фазосдвигающих слоев ФШЗ; 3) определены режимы осаждения фазосдвигающих слоев на основе MoSiN и слоя Cr для формирования слоев ФШЗ; 4) определены требования к кварцевой подложке для изготовления ФШЗ; 5) определены методы контроля параметров кварцевой подложки для изготовления ФШЗ; 6) разработан базовый маршрут изготовления ФШЗ; 7) определены параметры и требования к макету ФШЗ; 8) изготовлен макет ФШЗ; 9) определены методы контроля параметров ФШЗ; 10) определен состав и перечень технологического и контрольно-измерительного оборудования для изготовления и регенерации ФШЗ; 11) определены технические требования к ОКР по разработке технологического процесса изготовления ФШЗ для производства полупроводниковых изделий с проектными нормами 90-65 нм; 12) определены технические требования к ОКР по разработке технологического процесса изготовления кварцевых подложек для изготовления ФШЗ; 13) определены технические требования к ОКР по разработке технологического процесса изготовления пелликлов под длины волн 193 и 248 нм для изготовления ФШ для производства полупроводниковых изделий с проектными нормами 90-65 нм. Результаты, полученные при выполнении НИР, будут использованы в ОКР и последующих НИР, связанных с данной тематикой.