Гетероструктуры для посткремниевой электроники

Исследования, представленные в отчете, направлены на разработку методик синтеза тонко- и сверхтонкопленочных структур, как поли- так и монокристаллических эпитаксиальных, и на исследования их совокупностью экспериментальных и теоретических методов, которые обеспечат успешное использование разработанных концепций, методик и технологий в производстве перспективных микроэлектронных компонентов (магниторезистивная память) с повышенными функциональными характеристиками - емкостью, энергоэффективностью, быстродействием. Описана методика синтеза двухслойных гетероструктур типа ферромагнетик-нормальный металл и ферромагнетик - антиферромагнетик, в которых в качестве ферромагнетиков использовались пермаллой либо сплавы бинарной системы Pd-Fe, а также интерметаллидное соединений PdFe, в качестве нормальных металлов - платина либо вольфрам, в качестве антиферромагнетика изучалась система MnPt. В синтезированных структурах исследовались прямой и обратный спиновые эффекты Холла, а также эффекты обменного смещения. Также синтезировались тонкие (200 нм) пленки сплавов Pd - Fe с градиентами намагниченности по толщине, в которых изучались стоячие спиновые волны. Показано, что контролируя профиль намагниченности (при синтезе) и температуру, можно в широких пределах перестраивать спектры стоящих спиновых волн в них.