Разработка типоряда силовых полупроводниковых модулей

Объект исследования – интеллектуальные силовые полупроводниковые модули. Цель проекта – разработка и создание макетных образцов интеллектуальных силовых полупроводниковых модулей на базе дискретных транзисторов и диодов на 50 А, 100 А и 150 А. Методы исследования – анализ, синтез, сравнение, классификация, имитационное компьютерное, физическое моделирование. При выполнении НИОКР получены следующие результаты: в главе 1 проведены работы по обоснованию и выбору комплектующих для макетного образца интеллектуального силового модуля; в главе 2 исследованы характеристики интеллектуальных силовых модулей, силовых транзисторов и диодов; глава 3 посвящена разработке схемных решений силовой части и цепей управления интеллектуальных силовых модулей; в главе 4 разработаны конструкций полумостовых силовых модулей; глава 5 посвящена изготовлению макетных образцов полумостовых силовых модулей; в главе 6 приведено исследование разработанного интеллектуального силового модуля. Степень внедрения – материалы НИОКР необходимы для разработки эскизной конструкторской документации на интеллектуальный силовой модуль. Область применения – преобразователи электрической энергии для привода, энергетики, гальваники и других технологических процессов. Предложения о развитии исследований – результаты исследований могут быть использованы для разработки опытного образца интеллектуального транзисторного модуля. В последующих итерациях необходимо уменьшить габариты печатной платы драйверов, например, за счет переноса части элементов на нижнюю часть платы. Кроме того, необходимо рассмотреть возможность использования безкорпусных силовых полупроводников – эти действия вместе позволят вывести на рынок конкурентный интеллектуальный силовой модуль.