Исследование физико-химических свойств компонентов многослойных структур на основе УНМ для совмещения технологическими процессами микроэлектронного производства

Отчет содержит: 58 страниц, 21 рисунок, 5 таблиц, 52 источника. Ключевые слова: функциональные тонкие пленки, пассивные элементы, сверхпроводники, буферные слои, тонкие пленки, криоэлектроника. Объектом исследования являются тонкие функциональные покрытия на основе нитридов редкоземельных металлов для задач микро- и наноэлектроники, криогенные тонкопленочные резисторы для интегральных схем и криогенных устройств, а также технологические подходы и процессы формирования структур, направленные на оптимизацию свойств материалов и их интеграцию в микро- и наноэлектронные системы. Целью работы является разработка и исследование функциональных тонкоплёночных материалов и низкоомных криогенных резисторов для микро- и наноэлектроники. Работа включает изучение их физических и химических свойств, а также оптимизацию технологических процессов формирования структур. Особое внимание уделяется применению новых материалов, таких как нитриды переходных металлов, и анализу влияния буферных слоёв на функциональные свойства тонкоплёночных покрытий с целью повышения характеристик современных электронных компонентных баз (ЭКБ) и устройств криоэлектроники. В процессе выполнения НИР получены следующие результаты: 1. Разработаны термостабильные криогенные низкоомные резисторы на основе молибдена, исследованы их свойства. 2. Установлено, что ионная активация плёнки NbN в аргоновой плазме (0,5–1,5 кэВ) обеспечивает формирование высококачественного интерфейса с молибденовыми резисторами. 3. Показано, что алюминиевый бандаж снижает избыточное сопротивление контактных площадок, улучшая характеристики резисторов. 4. Исследовано влияние буферного слоя ScN на свойства плёнок NbN, изготовленных методом реактивного магнетронного осаждения. 5. Выявлено, что буферный слой ScN повышает критическую температуру плёнок NbN (с 9 К до 12,4 К при толщине слоя ScN 20–35 нм). 6. Установлено, что критическая плотность тока в плёнках NbN достигает 8 МА/см² при толщине слоя ScN 30 нм, с последующим её снижением при увеличении толщины.