НАНОРАЗМЕРНЫЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ НА ОСНОВЕ НОВЫХ ФУНКЦИОНАЛЬНЫХ МАТЕРИАЛОВ ДЛЯ НАНОЭЛЕКТРОНИКИ

Объектом исследований является компонентная база для реализации перспективных устройств наноэлектроники. Целью проекта является выяснение физических свойств нескольких классов тонкопленочных и наноразмерных материалов, синтезированных различными методами, и их функционализация для использования в перспективных устройствах наноэлектроники, в частности энергонезависимой памяти. В ходе выполнения работ на данном этапе, имеющих конечной целью разработку основ технологии создания функциональных устройств наноэлектроники нового поколения на новых физических принципах, получены следующие результаты: а) проведены исследования и разработка оптимальных КМОП-совместимых сегнетоэлектриков на основе HxZr1-xOy и их интеграция с MoS2/WS2 полупроводниковыми каналами для получения FeFET транзисторов энергонезависимой памяти; б) проведено теоретическое моделирование тепловых процессов и оптимальные параметры импульсного лазерного отжига слоев легированного HfO2 в составе гетероструктур на их основе; в) разработана методик импульсного лазерного отжига различной длительности и их использование для кристаллизации неравновесных фаз в слоях легированного HfO2 для реализации СЭ свойств в локальных областях в гетероструктурах на их основе; г) разработаны эффективные полупроводниковые, излучающих в ТГц области, конструкций резонаторов на теплоотводе для уменьшения резистивного (джоулевого) нагрева при непрерывном режиме генерации; д) проведено численного моделирования процесса теплопереноса в различных модификациях таких полупроводниковых конструкциях; е) проведён расчет в рамках периодического приближения конструкции матричного болометрического терагерцового детектора комнатной температуры для метрологии характеристик излучения резонаторов в диапазоне от 2 до 5 ТГц. Все работы выполнены в соответствии с техническим заданием и календарным планом. По результатам первого этапа опубликовано семь статей в журналах, индексируемых Scopus (со ссылкой на проект государственного задания).