ИКРБС
№ 225022011218-2Разработка технологического процесса изготовления элементов энергонезависимой резистивной памяти для реализации на базе лаборатории опытных технологий микро- и наноэлектроники
13.12.2024
Объектами исследований являются структуры «металл-оксид-металл» элементов энергонезависимой резистивной памяти.
Целью работы является разработка и апробация научно-технологических решений по изготовлению структур «металл-оксид-металл» элементов энергонезависимой резистивной памяти для реализации на оборудовании Лаборатории опытных технологий микро- и наноэлектроники.
При выполнении работ использовано технологическое оборудование и аттестованные специальные процессы осаждения, современное аналитическое оборудование мирового уровня, поверенные/калиброванные средства измерения. Выбранные способы и используемые инструменты соответствуют поставленным научно-техническим задачам.
Результаты работы:
1. Осуществлен выбор и обоснование научно-технологических решений по изготовлению мемристивных структур «металл-оксид-металл» элементов энергонезависимой резистивной памяти;
2. Проведена апробация разработанных научно-технологических решений в рамках технологических операций по формированию отдельных слоев мемристивных структур «металл-оксид-металл» элементов энергонезависимой резистивной памяти;
3. Разработан комплект технологической документации на изготовление мемристивных структур с параметрами, необходимыми для реализации макетов микросхем памяти и нейроморфных вычислительных систем на оборудовании Лаборатории опытных технологий микро- и наноэлектроники.
Новизна выбранных способов решения поставленных задач состоит в выборе новых научно-технологических решений по созданию мемристивных наноструктур, который при этом увязан с необходимостью адаптации этих решений в конкретные электронные схемы.
Область применения: научно-технические результаты предназначены для применения в вычислительной технике, технологиях обработки больших данных, а также другими организациями, заинтересованными в выполнении научных исследований и опытно-конструкторских работ в данной области.
Значимость работы состоит в получении научно-технического задела, необходимого для последующих прикладных научных исследований и опытно-конструкторских работ, направленных на разработку и опытно-конструкторскую реализацию элементной базы.
ГРНТИ
47.33.37 Приборы функциональной микроэлектроники
Ключевые слова
нейроморфная система
энергонезависимая память
металл-диэлектрик-металл
мемристор
Детали
НИОКТР
Заказчик
Министерство образования Нижегородской области
Исполнитель
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ АВТОНОМНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ НИЖЕГОРОДСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМ. Н.И. ЛОБАЧЕВСКОГО"
Бюджет
Средства бюджетов субъектов Российской Федерации: 25 000 000 ₽
Похожие документы
Разработка технологического процесса изготовления элементов энергонезависимой резистивной памяти для реализации на базе лаборатории опытных технологий микро- и наноэлектроники
0.971
НИОКТР
Разработка научно-технологических решений по изготовлению прототипов энергонезависимой резистивной памяти RRAM на технологической линии BEOL 90 нм (отчет за 2024 г.)
0.945
ИКРБС
Разработка технологических принципов изготовления и исследование приборных характеристик элементов энергонезависимой многократно программируемой резистивной памяти для интеграции в спецстойкий КМОП КНД процесс. Обобщение и оценка результатов исследований
0.938
ИКРБС
Мемристивные оксидные наноматериалы для энергонезависимой резистивной памяти и нейроморфных устройств (отчет за 2024 г.)
0.929
ИКРБС
Разработка технологических принципов изготовления и исследование приборных характеристик элементов энергонезависимой многократно программируемой резистивной памяти для интеграции в спецстойкий КМОП КНД процесс. Теоретические и экспериментальные исследования поставленных перед ПНИ задач
0.928
ИКРБС
Мемристивные оксидные наноматериалы для энергонезависимой резистивной памяти и нейроморфных устройств
0.927
ИКРБС
Мемристивные оксидные наноматериалы для энергонезависимой резистивной памяти и нейроморфных устройств
0.926
ИКРБС
Разработка физико-технологических основ создания встраиваемой сегнетоэлектрической и резистивной памяти
0.925
ИКРБС
Исследование и разработка конструктивно-технологических решений создания ячейки энергонезависимой памяти ReRAM на уровне FEOL для микросхем c проектными нормами 180 нм
0.915
НИОКТР
ФУНДАМЕНТАЛЬНЫЕ И ПРИКЛАДНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ, НАПРАВЛЕННЫЕ НА СОЗДАНИЕ ПЕРСПЕКТИВНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ И УСТРОЙСТВ МИКРО- И НАНОСИСТЕМНОЙ ТЕХНИКИ (промежуточный, этап 2024 г.)
0.913
ИКРБС