по комплексной теме: "ФУНДАМЕНТАЛЬНЫЕ И ПОИСКОВЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ В ОБЛАСТИ СОЗДАНИЯ ПЕРСПЕКТИВНОЙ ЭЛЕМЕНТНОЙ БАЗЫ НАНОЭЛЕКТРОНИКИ И ЕЕ КЛЮЧЕВЫХ ТЕХНОЛОГИЙ" (промежуточный, этап 2024 г.)

С целью разработки физических и математических моделей расчета кинетики отказов многослойных межсоединений исследовано влияния неравновесных атомарных примесей на электромиграционную неустойчивость формы интерфейса. Показано применение аппарата пятен для образно-логических нейроморфных устройств. В рамках разработки нейроморфных систем проведено исследование подходов к формированию активной среды оксидных мемристоров, не требующих электроформовки. Предложена модель вольтамперной характеристики биполярного мемристора филаментарного типа при обратимых переключениях. Разработан туннельный транзистор с двумерным каналом на основе двухслойного графена, который демонстрирует рекордную крутизну и высокую проводимость канала. Для разработки актинометрических моделей диагностики низкотемпературной плазмы и разрядов низкого давления в Ar-содержащих смесях выполнен критический обзор результатов аппроксимации экспериментальных сечений возбуждения метастабильных состояний Ar электронным ударом и расчет констант скоростей процессов возбуждения. Проведен геометрический анализ получения тонкопленочных наноструктур серповидной формы методом коллоидной литографии с ионно-лучевым распылением. Решена задача о динамике намагничивания наноразмерного ферромагнитного образца, обусловленной спин-орбитальным взаимодействием электронов. Разработана континуальная модель магнитной динамики ансамбля антиферромагнитных наночастиц. Проведены комплексные структурные исследования тонких пленок Al, выращенных на подложке кремния методом магнетронного распыления и термического испарения. Исследован рост пленок YBa2Cu3Ox на подложках NdGaO3 с отклонением поверхности от стандартной плоскости эпитаксиального роста (110) на угол 14-24º. Показано, что плотность каналов терагерцовой связи с TSV-отверстиями на кристалле удовлетворяет требованию к пропускной способности 3D ИС. Предложены подходы к высокоселективному атомно-слоевому травлению high-k диэлектриков, проведено моделирование функции распределения ионов по энергиям в индуктивно связанной плазме смеси Ar/Xe и Ar/He. Разработаны детали и узлы внутрикамерной оснастки технологического реактора плазмохимического травления пластин диаметром до 300мм.