ИКРБС
№ 225021910965-0

Исследование особенностей сверхпроводимости, магнетизма и топологических эффектов в квантовых материалах

16.01.2025

Получено теоретическое описание результатов измерений сопротивления, восприимчивости и микроволнового поглощения EuFe2As2 вблизи перехода в упорядоченное состояние позволил получить значения статических и динамических критических индексов. Полученные величины свидетельствуют о том, что магнитные корреляции имеют антиферромагнитный характер. Следствием этого является связь между транспортными свойствами соединения и магнитными корреляциями. - Исследуя сопротивление и микроволновое поглощение в кристаллах Ca(Fe(1- xCox)2As2, удалось установить влияние спиновых флуктуаций на рассеяние носителе тока. Результаты анализа позволяют сделать вывод о том, что отклонение зависимости R(T) от линейного хода обусловлено появлением нематических флуктуаций. Созданы и всестороннее исследованы образцы сверхпроводящих спиновых клапанов конструкции CoO_x(3.5 нм)/Co1(3 нм)/И1/Pb(d_Pb)/И2/Co2(3 нм)/Si_3N_4(85 нм) с варьируемыми толщинами Pb-слоя d_Pb в пределах от 40 до 120 нм. Предложены оптимальные конструкции сверхпроводящего спинового клапана с окисленными ферромагнитными слоями для реализации полного эффекта сверхпроводящего спинового клапана путем включения/выключения сверхпроводящего тока изменением взаимной ориентации намагниченности ферромагнитных слоев за счет магнитооптического эффекта. Созданы серии образцов двуслойных гетероструктур Pb/Bi1.08Sn0.02Sb0.9Te2S (сверхпроводник/топологический изолятор) c различной толщиной и морфологией слоя Pb (с использованием масок и без). Систематическое отсутствие значительного подавления TC слоя Pb указывает на влияние эффекта близости в таком типе гетероструктуры. По данным измерений магнетосопротивления на постоянном токе в гетероструктурах Pb/Bi1.08Sn0.02Sb0.9Te2S получены зависимости HC(TC), определена величина HC0. В гетероструктурах с несплошным слоем Pb обнаружен вклад от слабой антилокализации, извлечена длины корреляции. Для гетероструктурах созданных при помощи масок получена зависимость этой длины от характерного расстояния между островками Pb.
ГРНТИ
29.19.43 Антиферромагнетики и слабый ферромагнетизм
29.19.29 Сверхпроводники
29.19.22 Физика наноструктур. Низкоразмерные структуры. Мезоскопические структуры
29.19.16 Физика тонких пленок. Поверхности и границы раздела
29.19.15 Фазовые равновесия и фазовые переходы
Ключевые слова
топологический изолятор
сверхпроводимость
гетероструктура
изолирующие прослойки
сверхпроводящий спиновый клапан
ферромагнетизм
эффект близости
топологическая сверхпроводимость
фрактализация поверхности
Детали

НИОКТР
Заказчик
Российский научный фонд
Исполнитель
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки «Федеральный исследовательский центр «Казанский научный центр Российской академии наук»
Бюджет
Средства фондов поддержки научной и (или) научно-технической деятельности: 24 000 000 ₽
Похожие документы
Электронные свойства и сверхпроводимость новых низкоразмерных проводников
0.943
ИКРБС
Исследование возможности управления сверхпроводящим током в конструкции спинового клапана на базе сегнетоэлектрической подложки
0.940
ИКРБС
Магнетотранспорт и когерентные электронные эффекты в гибридных системах на основе сверхпроводников, ферромагнетиков и полупроводниковых наноструктур
0.939
ИКРБС
Изучение особенностей функционирования спинового клапана для сверхпроводящего тока на основе эффекта близости сверхпроводник/ферромагнетик
0.935
ИКРБС
Создание и исследование электронных свойств границы раздела систем с ферромагнитным упорядочением на топологических изоляторах
0.934
ИКРБС
Коллективные явления в электронных и экситонных системах в полупроводниковых наноструктурах
0.933
ИКРБС
Сверхпроводящий спиновый клапан и триплетная сверхпроводимость
0.930
ИКРБС
Спиновые состояния функциональных материалов на границе возникновения сверхпроводящих свойств
0.929
ИКРБС
Транспортные свойства и электродинамика наноструктурированных сверхпроводников и гибридных систем: квантовые эффекты и неравновесные состояния
0.929
ИКРБС
Эволюция свойств носителей заряда и электронные корреляции в слоистых органических металлах вблизи перехода металл-диэлектрик
0.923
ИКРБС