Исследование и разработка базовых принципов построения элементов радиофотонного тракта с частотами до 1 ТГц и построения систем на их основе

Объектом исследований являются: функциональные элементы радиофотоники, микроэлектроники, интегральной оптики и системы на их основе. Основной целью настоящего проекта является создание научно-технического задела по перспективным технологическим решениям и конструкциям функциональных элементов радиофотонного тракта и интегральной оптики. Основные результаты работы по проекту 2024 г.: 1) разработан технологический процесс производства оптоэлектронных плат на основе с применением мостовых межсоединений, изготавливаемых стандартными методами магнетронного напыления в комбинации с фотолитографией и гальваническим осаждением металлов позволяет увеличить воспроизводимость внутриплатных межсоединений и снизить трудоемкость в сравнении со сварными и паянными соединениями, что важно при производстве многокаскадных сверхвысокочастотных оптоэлектронных модулей; 2) разработан MMI делитель для волноводов нитрида кремния окруженного оксидом кремния с геометрическими размерами Wmmi = 5 мкм, Lmmi = 16,25 мкм, Hmmi = 1,22 мкм, с потерями не более 1 дБ в полосе длин волн от 1,5 до 1,6 мкм; 3) разработан оптический тейпер для торцевого ввода оптического излучения в ФИС с потерями не более 2 дБ при нечувствительности к поляризации оптического излучения; 4) в результате исследования конструкции выводов СВЧ фотодиода были получены АЧХ оптоэлектронного преобразования в зависимости от внутренней емкости и от номинала паразитной индуктивности разварочной проволочки, разработана эквивалентная схема замещения для СВЧ фотодиода в САПР ADS и проведено ЭМ моделирование конструкции его выводов, продемонстрирован диапазон работы СВЧ ФД более 25 ГГц при емкости до 100 фФ с полосой пропускания 15 ГГц.