ИКРБС
№ 225062416936-2Научные основы формирования субмикронных 3D-структур из наночастиц металлов и полупроводников для применений в электронике и фотонике
14.05.2025
1. Проведено исследование условий термического и лазерного спекания массивов наночастиц металлов (Ag, Au) и оксидов (ZnO, SnO₂) для формирования структур с заданными электрическими, оптическими и механическими свойствами. В экспериментах использовались муфельная печь и импульсный лазер, параметры которых (температура, время спекания, мощность излучения) варьировались для оптимизации свойств массивов.
- Установлено, что при лазерном спекании наночастиц Ag последовательное увеличение числа циклов осаждения и спекания с 1 до 10 позволяет снизить удельное сопротивление массива с 6,7⋅10⁻⁸ до 4,37⋅10⁻⁸ Ом∙м за счет циклического воздействия лазера и тонком осаждении материала. При плотности энергии излучения 6700–7900 Дж/см² сопротивление приближается к значению, характерному для объемного материала. Удельное сопротивление массивов Ag и Au, достигнутое в ходе спекания, превышает объемные значения в 2,2 и 5 раз соответственно.
- Для термического спекания сферических наночастиц Ag диаметром 30 нм при 600 °C удельное сопротивление массива составило 6,1⋅10⁻⁸ Ом·м, что в 1,8 раза ниже, чем у линий из агломерированных частиц (10,9⋅10⁻⁸ Ом·м). Это обусловлено более плотной упаковкой при использовании сферических наночастиц.
- Установлено, что оптимальная температура спекания наночастиц SnO₂ составляет около 650 °C, при которой материал достигает минимального удельного сопротивления. При дальнейшем увеличении температуры до 800 °C массив разрушался из-за разницы в термическом расширении SnO₂ и подложки. Удельное сопротивление SnO₂ демонстрирует полупроводниковое поведение, уменьшаясь с 28,9 до 0,6 Ом·м при нагреве от 100 °C до 300 °C.
- Для массивов ZnO на основе сферических частиц увеличение температуры спекания до 1200 °C снижает удельное сопротивление до 2,8⋅10³ Ом·м в низковольтной области (до 800 В) и до 1,2⋅10³ Ом·м при высоких напряжениях (от 800 до 3000 В). Это связано с улучшением контактов между наночастицами.
2. Исследованы процессы фокусировки и осаждения аэрозольных наночастиц металлов (Ag / Au) и оксидов (ZnO / SnO₂) через множество открытых участков (диафрагм) электростатической матричной линзы при варьировании формы и размера диафрагмы, размеров и заряда аэрозольных наночастиц и поверхностного заряда электростатической матричной линзы.
Получены следующие результаты:
Уменьшение размеров диафрагмы электростатической матричной линзы сопряжено с уменьшением размеров формируемых структур. Сформированы субмикронные структуры с минимальным размером 360 нм;
Форма структур повторяет форму диафрагмы электростатической линзы;
Технологии сухой аэрозольной печати и электростатической фокусировки заряженных наночастиц применимы для печати структур из широкого спектра материалов, например, металлов (Ag / Au) или оксидов (ZnO / SnO₂);
Средний размер и заряд аэрозольных наночастиц не существенно влияет на геометрические параметры структур. Тем не менее, с увеличением среднего размера наночастиц наблюдается снижение диффузионного расширения аэрозольного пучка, что приводит к меньшему разбросу наночастиц при осаждении;
Поверхностная плотность заряда на электростатической линзе оказывает значительное влияние на процессы фокусировки и осаждения аэрозольных наночастиц: при увеличении разности потенциалов между линзой и подложкой с 5 до 35 В размер структур сократился с 105 до 20 мкм.
3. Проведено формирование субмикронных структур из золота и исследование их электрических и оптических свойств. Электрические свойства исследовались четырехзондовым методом, оптические – методом спектрофотометрии.
Получены следующие результаты:
Структуры из наночастиц золота в форме колонн высотой 3 мкм и толщиной от 290 нм до 1,1 мкм, без спекания продемонстрировали удельное сопротивление от 4,6⋅10⁻⁸ до 6,3⋅10⁻⁸ Ом·м, что лишь в 3 раза превышает значение для объемного золота.
Матрицы структур из наночастиц золота в форме острий высотой от 160 до 640 нм и диаметром 210 нм проявили плазмонные резонансы на длинах волн от 575 до 664 нм в зависимости от высоты. Красное смещение резонансов коррелировало с увеличением размеров структур, что согласуется с теорией локализованных плазмонных резонансов.
Возможность контроля высоты структур, влияющей на величину длины волны резонанса достигается изменением продолжительности печати, что открывает перспективы применения таких структур в биосенсорах, солнечных батареях и плазмонных лазерах.
4. Исследованы газочувствительные свойства структур из наночастиц SnO₂ и PdOₓ для детектирования метана. Сенсоры на их основе формировались путем аэрозольного осаждения наночастиц на подложку через матричную линзу.
- Определен оптимальный состав газочувствительного слоя при отношении 30 % PdOₓ и 70 % SnO₂ (отклик 3,86 на 1 % концентрации метана, предел обнаружения 95 ppm) и 40 % PdOₓ и 60 % SnO₂ (отклик 5,18 на 1 % концентрации метана, предел обнаружения 45 ppm).
- Увеличение содержания PdOₓ до 40 % повысило чувствительность сенсора на 34 % за счет каталитической активности материала.
- Сенсоры продемонстрировали стабильную работу при температурах до 500 °C с энергопотреблением 140 мВт.
5. Выполнено сравнение сенсоров на основе наночастиц SnO₂, синтезированных методом импульсно-периодического газового разряда (ИПГР), с сенсорами из коммерческих золь-гель суспензий.
- Сенсоры на базе наночастиц SnO₂, полученных в ИПГР, обладали 8-кратным увеличением проводимости при 100 ppm водорода с временем отклика ~1 с, на уровне лучших коммерческих образцов.
- Изменение сопротивления при изменении влажности от 40 % до 80 % для таких сенсоров составляет ~20 % (против ~70 % для золь-гель сенсоров), что связано с минимальным количеством гидроксильных групп на поверхности наночастиц.
- Метод ИПГР позволяет синтезировать наночастицы с высокой удельной поверхностью и стабильными характеристиками, что делает его перспективным для масштабируемого производства сенсоров.
6. Выполнено участие в следующих конференциях (6-ая Школа молодых ученых в рамках Российского форума “Микроэлектроника 2024”; Конференция с международным участием “Научное приборостроение – перспективы разработки, создания, развития и использования”; 67-ая Всероссийская научной конференция МФТИ).
7. Подготовлен отчет за 3 этап выполнения проекта.
8. Подготовлено 3 публикации в журналы, индексируемые в базе данных Web of Science и/или Scopus, включая 1 публикацию в издании “Journal of Aerosol Science”, входящего в первый квартиль Q1.
ГРНТИ
29.27.43 Газовый разряд
Ключевые слова
наночастицы
аэрозольная печать
электростатическая матричная линза
печатная электроника
коронный разряд
генератор искрового разряда
Детали
НИОКТР
Заказчик
Российский научный фонд
Исполнитель
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ АВТОНОМНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "МОСКОВСКИЙ ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ (НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ)"
Бюджет
Средства фондов поддержки научной и (или) научно-технической деятельности: 6 000 000 ₽
Похожие документы
РАЗРАБОТКА НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКИХ ОСНОВ СОЗДАНИЯ МУЛЬТИСЕНСОРНЫХ СИСТЕМ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ КООРДИНАЦИОНННЫХ СОЕДИНЕНИЙ МЕТАЛЛОВ В КАЧЕСТВЕ ПРЕКУРСОРОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МЕТАЛЛООКСИДНЫХ НАНОМАТЕРИАЛОВ И ПОЛУЧЕНИЯ СТАБИЛЬНЫХ ДИСПЕРСИЙ БЛАГОРОДНЫХ МЕТАЛЛОВ ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ В ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПРОЦЕССАХ ФОРМИРОВАНИЯ ФУНКЦИОНАЛЬНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ ГАЗОВЫХ СЕНСОРОВ
0.939
ИКРБС
Разработка научных основ технологии аддитивного изготовления электронных устройств с помощью печатного и лазерного оборудования
0.935
ИКРБС
Разработка научных основ технологии аддитивного изготовления электронных устройств с помощью печатного и лазерного оборудования
0.930
ИКРБС
Функциональные материалы, наноматериалы и технологии
по теме:
Разработка метода синтеза ультрадисперсных нанокомпозитов на основе полупроводниковых оксидов металлов для создания микроэлектронных химических газовых сенсоров с помощью струйной микропечати (заключительный)
0.926
ИКРБС
Материалы на основе карбида кремния и широкозонных полупроводниковых оксидов для высокотемпературных газовых сенсоров
0.926
ИКРБС
Разработка функциональных материалов с управляемыми электрическими, хеморезистивными и каталитическими свойствами для создания сенсорных микросистем
с применением методов печатной электроники
0.926
ИКРБС
Моделирование, создание и исследование перспективных материалов и разработка нового поколения датчиков различной функциональности для сенсорных и информационно-телекоммуникационных систем
0.925
ИКРБС
Структура и механизмы формирования поверхности, границ раздела и дефектов полупроводниковых наносистем
0.924
ИКРБС
Отчет о научно–исследовательской работе по теме «Светоизлучающие, фотодетекторные и фотопреобразовательные структуры ближнего ИК и видимого диапазонов на основе полупроводниковых наноструктур»
(промежуточный)
Этап 2 (2024 г.)
0.922
ИКРБС
Моделирование, создание и исследование перспективных материалов и разработка нового поколения датчиков различной функциональности для сенсорных и информационно-телекоммуникационных систем
0.921
ИКРБС