ИКРБС
№ 225112420101-9

Функциональные слои на основе периодических структур для компонентов прозрачной электроники и систем отображения информации нового поколения (заключительный)

09.04.2025

Проект направлен на создание низкотемпературных технологий синтеза функциональных слоев (прозрачных электродов, диэлектрических слоев, тонкопленочных компонентов активноматричных транзисторных структур для оксидной прозрачной электроники на полимерных носителях. Актуальность (и сложность) решаемой задачи состоит в том, что формирование слоев на гибких полимерных носителях ставит задачу осаждения слоев при низких температурах подложки в окрестностях 100°С. При этом характеристики слоев, синтезируемых при относительно низких температурах, должны сохранять характеристики слоев, достигаемые при температурах синтеза около 200°С. Данные результаты достигнуты, благодаря ряду патентно-чистых решений. Среди них: 1. Замена традиционных однородных прозрачных проводящих слоев (или трехслойных структур MeO/Me/MeO) на композиционные легированные (модулированные) периодические структуры (сверхрешетки). 2. Использование модифицированных (патентно-чистых) технологий ионно-плазменного формирования структур на основе базового магнетронного напылительного промышленного оборудования. Научная новизна. Настоящий проект предполагает создание нового класса тонкопленочных функциональных материалов для гибкой прозрачной электроники на основе периодических тонкопленочных композиционных структур при сохранении базового (магнетронного) оборудования в индустрии производства ЖК (OLED) дисплеев, солнечных панелей, многочисленных компонентов прозрачной электроники. Новизна решений состоит в следующем: 1. Разрабатываемые тонкопленочные функциональные материалы будут созданы на основе композиционных периодических структур и легированных сверхрешеток. 2. В рамках проекта будет создан новый класс прозрачных электродов для ЖК индустрии и иных приложений с высокими подвижностями носителей заряда в сверхрешетках с модулированным легированием на основе доступных материалов. Это позволит отказаться от дорогостоящих прозрачных проводящих слоев (ТСО, transparent conducting oxide) на основе двойного оксида индия-олова (ITO, indium tin oxide), господствующих в ЖК индустрии много десятков лет. 3. Созданные прозрачные проводящие слои будут обладать удельными сопротивлениями около 5×10-4 Ом×см, подвижностями носителей заряда не ниже 30 см2×В-1×с-1 характеристики будут достигнуты при синтезе слоев на полимерных носителях при температурах ниже 130°С. 4. Изменение электрических характеристик при 1000-часовых тестированиях damp (85%) – heat (85°С) не превысит 10%. 5. Величины оптического пропускания в спектральном диапазоне λ= (450 – 750) нм составят 90%, не менее. 4 6. Число изгибов функционального покрытия на поверхности полимера составит 10000 без разрушения. Выполнение представленного проекта решает три ключевые проблемы создания принципиально новых материалов для нового поколения продукции индустрии ЖК (OLED). Эти задачи сконцентрированы в следующем определении - «Создание низкотемпературных технологий синтеза композиционных материалов для гибкой оксидной электроники на основе периодических структур». Создание патентно-чистых технологий данного направления является бесспорным самостоятельным коммерческим продуктом и создает для России перспективы формирования ниши на международном рынке материалов и технологий прозрачной электроники. Одна из ключевых задач, над решением которой работают все коллективы ведущих мировых производителей дисплеев и многочисленные исследовательские коллективы мира, состоит в вытеснении из ЖК индустрии дорогостоящих функциональных слоев на основе ITO.
ГРНТИ
47.09.48 Наноматериалы для электроники
Ключевые слова
Бертоллид
Прозрачный электрод
Газовый датчик
Магнетронное осаждение
Стехиометрия
Оксид цинка
Граница зерен
Вакансия
Потенциальный барьер
Адсорбция
Детали

НИОКТР
Заказчик
Российский научный фонд
Исполнитель
Государственное образовательное учреждение высшего образования Московской области Московский государственный областной университет
Бюджет
Средства фондов поддержки научной и (или) научно-технической деятельности: 7 000 000 ₽
Похожие документы
Функциональные слои перспективной элементной базы микроэлектронных систем, полученные методом низкотемпературного синтеза слоёв оксидов металлов в квазиравновесных условиях
0.940
НИОКТР
Функциональные слои на основе органических, полупроводниковых, MeO/Me/MeO гетероструктур и гибридных наночастиц для производства OLED микродисплеев «Разработка подхода получения прозрачных токопроводящих покрытий с использованием гетероструктур на основе MeO/Me/MeO» (промежуточный, этап № 1)
0.937
ИКРБС
Функциональные слои на основе периодических структур для компонентов прозрачной электроники и систем отображения информации нового поколения
0.932
НИОКТР
Функциональные слои на основе органических, полупроводниковых, MeO/Me/MeO гетероструктур и гибридных наночастиц для производства OLED микродисплеев «Базовая технология прозрачных проводящих электродов структуры MeO/Me/MeO устройств оптоэлектроники и фотоники» (промежуточный, этап № 3)
0.931
ИКРБС
Гибридные органические многофункциональные системы для устройств отображения и оптоэлектроники с повышенной функциональностью (заключительный)
0.928
ИКРБС
Технологии слоев органических и неорганических материалов со сложным рельефом поверхности с заданными электрическими и оптическими характеристиками для перспективных элементов микро- и наноэлектронных систем
0.928
НИОКТР
Разработка сложных легированных оксидных композитных материалов и технологий синтеза тонкоплёночных функциональных компонентов элементов микро- и наноэлектроники для устройств и систем отображения информации с повышенными разрешающей способностью и быстродействием (заключительный)
0.927
ИКРБС
Функциональные слои на основе органических, MeO/Me/MeO гетероструктур и гибридных наночастиц для производства OLED микродисплеев. Пути создания систем на основе гетероструктурных квантовых точек для дисплейных применений (заключительный, этап № 5)
0.926
ИКРБС
Разработка технологии получения полифункциональных прозрачных полимерных сегнетоэлектрических материалов для создания на их основе активных компонентов гибкой гибридной электроники
0.926
ИКРБС
«Создание лабораторных образцов прозрачных токопроводящих слоев на основе структур MeO/Me/MeO» (промежуточный, этап № 2)
0.926
ИКРБС