Главная
»
Базы данных научно-технической информации
»
ИКРБС: Загрузка...
ИКРБС
№ 225121020480-1

Разработка и верификация топологии макетного образца ИМС. Разработка сборочного чертежа макетного образца ИМС. Изготовление полупроводникового кристалла макетного образца ИМС. Технологическая сборка полупроводникового кристалла в установленный тип корпуса макетного образца. Разработка технологического маршрута сборки. Сборка макетного образца ИМС. Разработка программы и методики лабораторных измерений макетного образца ИМС. Изготовление измерительной оснастки макетного образца ИМС. Проведение лабораторных измерений макетного образца ИМС. (промежуточный)

09.12.2025
Целью работы, реализованной по второму этапу по теме «Разработка конфигурируемой многофункциональной аналоговой интегральной микросхемы» является разработка и верификация топологии макетного образца ИМС, разработка сборочного чертежа макетного образца ИМС, изготовление полупроводникового кристалла макетного образца ИМС, технологическая сборка полупроводникового кристалла в установленный тип корпуса макетного образца, разработка технологического маршрута сборки, сборка макетного образца ИМС, разработка программы и методики лабораторных измерений макетного образца ИМС, изготовление измерительной оснастки макетного образца ИМС, проведение лабораторных измерений макетного образца ИМС. В ходе выполнения работы успешно решены следующие задачи: - Разработка и верификация топологии макетного образца ИМС; - Разработка сборочного чертежа макетного образца ИМС; - Изготовление полупроводникового кристалла макетного образца ИМС; - Технологическая сборка полупроводникового кристалла в установленный тип корпуса макетного образца; - Разработка технологического маршрута сборки. Сборка макетного образца ИМС; - Разработка программы и методики лабораторных измерений макетного образца ИМС; - Изготовление измерительной оснастки макетного образца ИМС; - Проведение лабораторных измерений макетного образца ИМС. По результатам реализации второго этапа проекта можно сделать вывод о том, что работа успешно выполнена в полном соответствии с пунктами календарного плана и требованиями технического задания.
ГРНТИ
47.41.33 Усилители
Ключевые слова
ИМС – интегральная микросхема
СФ- блок – сложно – функциональный блок
ОУ – операционный усилитель
ИОН – источник опорного напряжения
САПР – система автоматизированного проектирования
АЧХ – амплитудно-частотная характеристика
ФЧХ – фазо-частотная характеристика
КМОП – комплементарная структура металл-оксид-полупроводник
Детали
НИОКТР
№ 125011300191-4
Заказчик
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ "ФОНД СОДЕЙСТВИЯ РАЗВИТИЮ МАЛЫХ ФОРМ ПРЕДПРИЯТИЙ В НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКОЙ СФЕРЕ"
Исполнитель
ОБЩЕСТВО С ОГРАНИЧЕННОЙ ОТВЕТСТВЕННОСТЬЮ "АРП-ДИЗАЙН"
Бюджет
Средства фондов поддержки научной и (или) научно-технической деятельности: 12 500 000 ₽
Похожие документы
"Разработка спецификации интегральной микросхемы. Разработка структурной схемы ИМС. Разработка принципиальных электрических схем аналоговых СФ-блоков. Схемотехническое моделирование аналоговых СФ-блоков ИМС. Функциональное моделирование системы верхнего уровня ИМС. Разработка и верификация топологии аналоговых СФ-блоков ИМС. Разработка измерительной оснастки на основе электронного печатного модуля (платы)". (Промежуточный)
0.953
ИКРБС
Этап №2 «Разработка сборочного чертежа полупроводникового кристалла в корпус. Разработка программы и методик лабораторных измерений. Изготовление полупроводниковых кристаллов опытных образцов ИМС. Технологическая сборка полупроводниковых кристаллов в корпус согласно сборочному чертежу. Изготовление опытных образцов заказной ИМС.» (промежуточный)
0.939
ИКРБС
Изготовление макетных образцов микросхем. Исследование параметров макетных образцов микросхем. Разработка принципиальных схем микросхем. Моделирование работы микросхем. Разработка топологий кристаллов микросхем.
0.936
ИКРБС
Изготовление полупроводниковых кристаллов опытных образцов ИМС. Разработка программы и методики лабораторных испытаний. Разработка тестовой оснастки: разработка электрической схемы и топологии печатной платы для проведения лабораторных испытаний.
0.933
ИКРБС
Разработка методик измерений микросхем. Разработка программ и методик предварительных испытаний опытных образцов микросхем. Разработка ЭКД на измерительные средства и оснастку для проведения измерений и испытаний микросхем. Изготовление измерительных средств и оснастки для проведения измерений и испытаний микросхем. Разработка рабочего места для измерений и испытаний микросхем. Разработка рабочей КД и ТД на микросхемы. Изготовление опытных образцов микросхем. (промежуточный)
0.924
ИКРБС
Разработка структурных схем микросхем. Определение необходимого набора элементов "правил проектирования" производителя кристаллов и требований к ним, выбор технологий изготовления кристаллов микросхем. Разработка принципиальных схем макетных образцов микросхем. Моделирование работы макетных образцов микросхем. Разработка топологии кристаллов макетных образцов микросхем.
0.924
ИКРБС
Этап № 1 проекта «Заказная интегральная микросхема 32-х разрядной сложно-функциональной микроконтроллерной системы» по договору о предоставлении гранта № 30113/08012/0010-2022 от «21» декабря 2022 г.
0.920
ИКРБС
ОТЧЕТ о выполнении НИОКР по теме: "Разработка и изготовление аналого-цифрового электронного модуля обработки сенсорных сигналов на основе интегральной микросхемы типа системам на кристалле с использованием аналого-цифровых сложно-функциональных блоков и конфигурацией функций посредствам цифровых интерфейсов." (договор №41ГТС1РЭС14/72874 от 28.12.2021) Этап №1"Разработка принципиальных электрических схем аналоговых и аналого - цифровых СФ-блоков.Проведение схемотехнического моделирования принципиальных схем. Разработка краткой спецификации заказной интегральной микросхемы (ИМС). Разработка технологического маршрута изготовления опытных образцов заказной ИМС. Верификация итоговой топологии заказной ИМС в технологическом формате." (промежуточный)
0.917
ИКРБС
Этап №1 «Разработка принципиальных схем технологического источника тока, проведение тестовых испытаний силовых полупроводниковых приборов по напряжению лавинного пробоя, напряжению насыщения при рабочем токе на соответствие паспортным данным (входной контроль). Разработка топологий печатных плат реверсивного импульсного генератора тока и блока микроконтроллера. Изготовление печатных плат реверсивного импульсного генератора тока и блока микроконтроллера. Разработка и тестирование программного обеспечения. Изготовление оснастки для прототипа технологического источника тока. Распайка печатных плат реверсивного импульсного генератора тока и блока микроконтроллера, монтаж межблочных соединений технологического источника тока.» (промежуточный)
0.915
ИКРБС
1. Разработка топологии подблоков интегральной микросхемы корректора коэффициента мощности и формирование их восстановленных видов для проведения моделирования. 2.Разработка топологии верхнего уровня и формирование восстановленного вида для проведения моделирования корректора коэффициента мощности. 3.Корректировка общей топологии корректора коэффициента мощности и его подблоков по результатам моделирования. 4.Разработка рабочей конструкторской документации. 5.Разработка программы и методики испытаний опытных образцов.
0.911
ИКРБС