Фундаментальные исследования нового типа InAs/GaInP квантоворазмерных сред, для создания фотоэлектрических преобразователей с повышенной эффективностью

Полупроводниковые А3В5 многопереходные (МП) солнечные элементы (СЭ) и солнечные элементы с промежуточной подзоной основаны на идее каскадного преобразования солнечного излучения в широком спектральном диапазоне и являются наиболее перспективными для получения наибольшей эффективности среди фотопреобразователей (ФЭП) солнечной энергии. Однако потенциал МП СЭ на основе GaInP/GaAs/Ge гетероструктур все еще не реализован, так как их эффективность ограничена фототоком верхнего широкозонного GaInP/GaAs касакада и, в частности током GaInP субэлемента. Одним из ключевых решений проблемы ограничения эффективности ФЭП каскадного типа может стать создание технологии квантоворазмерных сред, встроенных в матрицу GaInP. Разработка такой технологии является основной целью данного Проекта. Исследования, предложенные в Проекте, будут иметь научно-технологическую новизну и актуальны для двух областей: фотовольтаики и эпитакии наногетероструктур. Экспериментально-технологическое исследование будет осуществляться с помощью широкого диапазона методов.