Разработка физико-технологических основ получения новых пленочных сегнетоэлектрических материалов для сверхвысокочастотных применений.

Проект направлен на изучение физико-химических процессов, протекающих при формировании сегнетоэлектрических пленочных материалов, и разработку основ технологии создания сверхвысокочастотных устройств на их основе. В проекте планируются: построение моделей кристаллизации пленок твердых растворов тианатов-цирконатов и титанатов-станнатов бария и стронция; исследование механизмов дефектообразования; структурирование пленки в процессе роста; создание технологии сверхвысокочастотных структур на основе структурированных новых сегнетоэлектрических пленочных материалов. Предлагаемый в проекте подход к разработке технологии сегнетоэлектрических сверхвысокочастотных структур заключается, во-первых, в получении новых знаний о свойствах перспективных пленочных материалов для сверхвысокочастотной электроники; во-вторых, в структурировании пленок за счет управления потоками компонентов, приходящих на подложку и процессами конденсации и роста пленок, в-третьих, в исследовании характеристик полученных структур и их связи с технологическими параметрами. В результате реализации проекта планируется создание основ технологии сегнетоэлектрических структур, что откроет возможности для разработки сверхвысокочастотных устройств с характеристиками (вносимые потери, температурная стабильность, быстродействие, мощностные характеристики), принципиально лучшими по сравнению с существующими аналогами.