-Исследование возможности создания эффективных оптоэлектронных приборов на основе соединений A3B5N на подложках кремния

13.01.2016

Работа направлена на решение актуальной задачи создания эффективных оптоэлектронных приборов на основе кремния. В первую очередь, в рамках проекта будут разработаны технологические аспекты создания методом молекулярно-пучковой эпитаксии гетероструктуры светоизлучающего диода на основе твердых растворов A3B5N на поверхности кремния. Далее будут проведены оптические, структурные и электрофизические исследования полученных наногетероструктур.

ГРНТИ

29.19.16 Физика тонких пленок. Поверхности и границы раздела

29.19.31 Полупроводники

29.19.22 Физика наноструктур. Низкоразмерные структуры. Мезоскопические структуры

Ключевые слова

АЗОТОСОДЕРЖАЩИЕ ТВЕРДЫЕ РАСТВОРЫ

МОЛЕКУЛЯРНО-ПУЧКОВАЯ ЭПИТАКСИЯ

СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИЙ ДИОД

ФОТОПРИЕМНИК

ПОЛУПРОВОДНИКИ

КРЕМНИЙ

Детали

Начало

01.01.2016

Окончание

31.12.2017

№ контракта

мол_а Конкурс научных проектов, выполняемых молодыми учеными

Заказчик

ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ "РОССИЙСКИЙ ФОНД ФУНДАМЕНТАЛЬНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ"

Исполнитель

ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ "САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ АКАДЕМИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМЕНИ Ж.И. АЛФЕРОВА РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК"

Бюджет

Средства федерального бюджета: 450 000 ₽

Похожие документы

Элементы оптоэлектроники на основе полупроводниковых соединений AIIIBV и прозрачных проводящих слоев из углеродных нанотрубок

0.943

НИОКТР

Формирование, кристаллическое строение и оптические свойства новых A3B5 гетероструктур, выращенных на Si подложке

0.942

НИОКТР

Исследование оптических свойств и динамических процессов в новых полупроводниковых наногетероструктурах A3B5, перспективных для использования в качестве активной области светоизлучающих и фоточувствительных приборов оптоэлектроники

0.941

ИКРБС