Исследование физических свойств пьезоэлектрических наноструктурированных пленок нитрида алюминия и оксида цинка с использованием рентгеновского и синхротронного излучения.

Пленки и массивы нанокристаллов широкозонных полупроводников: нитрида алюминия и оксида цинка в последнее время являются объектами повышенного внимания ученых, благодаря уникальным свойствам этих материалов, позволяющих применять их в новых поколениях устройств нано- и микроэлектроники, оптоэлектроники, альтернативной энергетики, сенсорной техники и т.п. В частности, большой интерес привлекают пьезоэлектрические свойства указанных материалов. Ранее нами был разработан метод выращивания пленок и наноструктур оксида цинка и нитрида алюминия путем химического осаждения из газовой фазы (CVD), который наряду с относительной простотой и высокой производительностью обеспечивает высокую чистоту и структурное совершенство получаемого материала. В рамках данного проекта предполагается методами газофазного синтеза синтезировать наноструктурированные поликристаллические пленки нитрида алюминия и оксида цинка на различных подложках. Отличительной особенностью предлагаемого метода синтеза является то, что росту сплошных пленок будет предшествовать выращивание упорядоченных массивов нанокристаллов. Благодаря этому ожидается, что полученные пленки будут обладать хорошей текстурой, что необходимо для достижения высоких пьезоэлектрических характеристик. Параллельно будет проведено всестороннее исследование структуры и физических свойств полученных материалов, в том числе с использованием рентгеновского и синхротронного излучения. Сопоставление полученных данных позволит выбрать оптимальные условия для контролируемого синтеза пленок с наилучшими пьезоэлектрическими характеристиками. В результате реализации проекта будут исследованы пьезоэлектрические свойства наноструктурированных пленок нитрида алюминия и оксида цинка и продемонстрирована возможность их использования в качестве рабочего материала для конкретных устройств.