Получение и исследование оксидных гетероструктур с интерфейсом сверхпроводник/иридат для разработки элементной базы сверхпроводниковой наноэлектроники и спинтроники

Таким образом, настоящий проект направлен на разработку методики получения гетероструктур с границами раздела оксидный сверхпроводник - материал, характеризуемый сильным спин-орбитальным взаимодействием. В проекте планируется проведение экспериментального исследования электрофизических и магнитных характеристик полученных гетероструктур. Будут изучены процессы, обусловленные эффектом близости и спин-зависимым рассеянием на границе сверхпроводника и магнитного материала с сильным спин-орбитальным взаимодействием. В частности, планируется исследовать предсказанный в сообщении [7] механизм усиления спин-триплетного спаривания при включении в сверхпроводниковую гетероструктуру прослойки из иридата стронция – материала с сильным спин-орбитальным взаимодействием. Планируемые результаты исследований могут оказаться полезны для создания сверхпроводящей магнитной памяти на основе эпитаксиальных гетероструктур. Высокое удельное сопротивление Sr2IrO4 и ожидаемое усиление плотности критического тока за счѐт образования триплетных куперовских пар позволяет рассчитывать на получение джозефсоновских гетероструктур с высокими значениями критической частоты, пропорциональной IcRn, где Ic - критический ток, а Rn - сопротивление в нормальном состоянии, что важно для практического применения подобных устройств. Также стоит отметить, что в проекте планируется использовать купратный сверхпроводник с высокой критической температурой, это также весьма существенно для практических применений конечных устройств.