Исследования технологических принципов формирования арсенид-галлиевых наногетероструктур с локализующими потенциальными барьерами и мощных СВЧ транзисторов на их основе с удельной мощностью не менее 1,5 Вт/мм и КПД не менее 50%

Перспективные транзисторы на основе GaN, несмотря на высокую удельную выходную мощность (до 6-10 Вт/мм), имеют серьезные проблемы в режиме импульсных сигналов из-за наличия ловушек, влияние которых пока еще не удается существенно снизить. Поэтому повышение удельной мощности СВЧ транзисторов на основе GaAs по-прежнему остается актуальной задачей. Существующая технология гетероструктур на основе GaAs не позволяет обеспечить для СВЧ транзисторов удельную мощность более 1 Вт/мм, что ограничивает область их применения. Проведенные в России исследования последних лет показали, что имеется техническая и технологическая возможность увеличения удельной мощности GaAs-транзисторов в 1,5 и более раз за счет использования в наногетероструктурах, на основе которых они создаются, локализующих потенциальных барьеров. В связи с этим в данной работе предполагается создание технологии изготовления арсенид-галлиевых наногетероструктур с локализующими потенциальными барьерами и технологии изготовления мощных СВЧ транзисторов с удельной мощностью не менее 1,5 Вт/мм на их основе. Применение разрабатываемых транзисторов позволит существенно расширить сферу их применения и улучшить параметры основных радиоэлектронных средств: радиолокаторов, систем связи, телекоммуникационного и радионавигационного оборудования в частотных диапазонах до 12 ГГц, в том числе повысить дальность действия, разрешающую способность и точность измерения координат и местоопределения. В ходе выполнения НИОКР будут выполнены следующие задачи: проведены исследования технологии получения арсенид-галлиевых наногетероструктур с локализующими потенциальными барьерами; проведены исследования электрофизических характеристик наногетероструктур от технологических параметров ростовых процессов; разработаны математические модели и топология мощных СВЧ транзисторов с удельной мощностью не менее 1,5 Вт/мм с КПД не менее 50%; изготовлены макеты арсенид-галлиевых наногетероструктур; изготовлены макеты мощных СВЧ транзисторов; разработан проект ТЗ на ОКР.