НИОКТР
№ 116012810003Исследование процессов формирования высокотемпературных слоев AlN (AlGaN) и гетероструктур на их основе, выращенных на подложках сапфира методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии
21.01.2016
В проекте предполагается изучение слоев AlN и AlGaN, осаждаемых при температурах подложки свыше 1000 градусов Цельсия. Планируется экспериментально проверить предположение, что подобные условия способствуют снижению плотности дефектов и формированию гладкого рельефа. Будет проведен рост образцов нитридных пленок на подложках сапфира и их исследование методами атомно-силовой микроскопии, дифракции быстрых отраженных электронов и дифракции рентгеновских лучей.
ГРНТИ
29.19.22 Физика наноструктур. Низкоразмерные структуры. Мезоскопические структуры
29.35.45 Вакуумные электронно-волновые приборы СВЧ-диапазона
29.19.03 Теория конденсированного состояния
Ключевые слова
НИТРИД ГАЛЛИЯ
НИТРИД АЛЮМИНИЯ
АММИАЧНАЯ МОЛЕКУЛЯРНО -ЛУЧЕВАЯ ЭПИТАКСИЯ
АТОМНО-СИЛОВАЯ МИКРОСКОПИЯ
ДИФРАКЦИЯ БЫСТРЫХ ОТРАЖЕННЫХ ЭЛЕКТРОНОВ
Детали
Начало
01.01.2016
Окончание
31.12.2017
№ контракта
Проект РФФИ 16-32-00177
Заказчик
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ "РОССИЙСКИЙ ФОНД ФУНДАМЕНТАЛЬНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ"
Исполнитель
федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт"
Бюджет
Средства фондов поддержки научной и (или) научно-технической деятельности: 450 000 ₽
Похожие документы
Исследование процессов формирования высокотемпературных слоев AlN(AlGaN) и гетероструктур на их основе, выращенных на подложках сапфира методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии
0.989
ИКРБС
Механизмы формирования высокотемпературных слоев AlN и AlGaN в аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии
0.947
Диссертация
Развитие физико-химических основ магнетронного осаждения на сапфир эпитаксиальных слоев AlN как темплатов для нитридных гетероструктур
0.930
ИКРБС
-Исследование особенностей эпитаксии GaN на A-срезе сапфира
0.930
НИОКТР
Исследование в области синтеза специальных композитов и элементов базы для микроэлектроники с использованием функциональных и полупроводниковых покрытий
0.929
ИКРБС
Разработка метода твердофазной эпитаксии низкодефектных пленок широкозонных полупроводников на кремниевых подложках для микро- и оптоэлектроники
0.919
НИОКТР
Особенности формирования AlN на подложке сапфира в процессе нитридизации методом молекулярно-лучевой эпитаксии
0.913
Диссертация
Рост методом молекулярно-пучковой эпитаксии гетероструктур GaN/AlN на подложках кремния
0.912
ИКРБС
Наноструктуры, физика, химия, биология, основы технологии
0.911
НИОКТР
Наноструктуры, физика, химия, биология, основы технологии
0.911
НИОКТР