НИОКТР
№ АААА-А16-116021010359-1

Токи утечки в сегнетоэлектрических гетероструктурах

29.01.2016

Проект посвящен исследованию механизмов проводимости и связанных физических свойств в сегнетоэлектрических гетероструктурах металл-сегнетоэлектрик-металл, сформированные на пластинах монокристаллического кремния. Токи утечки в таких структурах являются одним из критических параметров, определяющих работоспособность таких устройств. В работе предполагается разработать новый подход к определению «истинного» тока утечки в подобных структурах на основе анализа экспериментальных данных при помощи адекватной модели. С помощью разработанного метода определения стационарного тока будут исследованы пленки различной толщины и определены механизмы проводимости при различных напряженностях электрического поля. Другой фундаментальной задачей настоящего проекта является анализ так называемого «нарушенного» слоя на границе раздела сегнетоэлектрик-металл. Модель нарушенного слоя часто используется для интерпретации различных физических явлений в подобных структурах (например, толщинных зависимостей диэлектрической проницаемости). В работе предполагается экспериментально определить реальные толщины нарушенного слоя в гетероструктурах с сегнетоэлектрическими слоями различной степени структурного совершенства (в т.ч. в плотной и пористой керамике) и определить его влияние на электрофизические параметры гетероструктур.
ГРНТИ
29.19.22 Физика наноструктур. Низкоразмерные структуры. Мезоскопические структуры
47.09.33 Сегнетоэлектрики и пьезоэлектрики
Ключевые слова
АКТИВНЫЕ ДИЭЛЕКТРИКИ
СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКИ
ПЛЕНКИ
ТОКИ УТЕЧКИ
ЗОЛЬ-ГЕЛЬ МЕТОД
УСТРОЙСТВА ПАМЯТИ
Детали

Начало
01.01.2016
Окончание
31.12.2018
№ контракта
16-02-00845
Заказчик
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ "РОССИЙСКИЙ ФОНД ФУНДАМЕНТАЛЬНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ"
Исполнитель
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «МИРЭА – Российский технологический университет»
Бюджет
Средства федерального бюджета: 1 545 000 ₽
Похожие документы
Токи утечки в сегнетоэлектрических гетероструктурах
0.962
ИКРБС
Электрофизические свойства сегнетоэлектрических гетероструктур для нового поколения устройств электроники (этап 2)
0.921
ИКРБС
-Электропроводность и барьерные эффекты в сегнетоэлектрических пленочных гетероструктурах
0.907
НИОКТР
Электрофизические свойства сегнетоэлектрических гетероструктур для нового поколения устройств электроники
0.899
НИОКТР
Электрофизические свойства сегнетоэлектрических гетероструктур для нового поколения устройств электроники (заключительный)
0.899
ИКРБС
РАЗРАБОТКА МОДЕЛИ ПЕРЕХОДНОГО ТОКА ЗАРЯДА, ОБЕСПЕЧИВАЮЩЕЙ ПОВЫШЕНИЕ ТОЧНОСТИ ИЗМЕРЕНИЯ СТАТИЧЕСКОГО ТОКА УТЕЧКИ БЛАГОДАРЯ УЧЕТУ ТОКОВ РЕЛАКСАЦИИ
0.898
ИКРБС
Электропроводность и барьерные эффекты в сегнетоэлектрических пленочных гетероструктурах
0.897
ИКРБС
Исследование электропроводности доменных стенок сегнетоэлектрических микро- и нано-доменов: теория и эксперимент
0.893
ИКРБС
Электрокалорический эффект в сегнетоэлектрических микро-, нанокерамиках и мультислойных структурах в периодическом электрическом поле
0.890
ИКРБС
Исследование механизмов проводимости в тонких плёнках твёрдых растворов титана бария стронция
0.887
Диссертация