Свойства многослойных структур на основе широкозонных материалов ZnO, SiO2, SiC

Предполагается проведение исследований процессов формирования, структуры, излучательных и электрических свойств периодических структур на основе широкозонных оксидов (ZnO, SiO2, SiC). Исследования включают в себя четыре основных раздела:1.Исследование механизмов формирования, зонной и кристаллической структур композиционных периодических систем n-ZnO/SiO2/n-ZnO, n-ZnO/SiC/n-ZnO, n-ZnO/C/n-ZnO и легированных структур n-ZnO/n+-ZnO/n-ZnO.2.Исследование излучательных характеристик периодических структур n-ZnO/SiO2/n-ZnO, n-ZnO/SiC/n-ZnO с различной архитектурой.3.Исследование механизмов переноса носителей заряда в периодических структурах n-ZnO/n+-ZnO/n-ZnO, n-ZnO/SiC/n-ZnO, n-ZnO/C/n-ZnO.4.Разработка альтернативных материалов для формирования i-слоев для светоизлучающих (включая random lasers) p-i-n-структур и прозрачных электродов для систем отображения информации (LED, LCD, OLED).