Магнитонезависимая спиновая инжекция в светоизлучающих диодах на основе гетероструктур In(Ga)As/GaAs

Основная цель предлагаемого фундаментального исследования - создание магнитонезависимых источников циркулярно-поляризованного излучения на диапазон длин волн 0.9-1.3 мкм, функционирующих благодаря сохранению остаточной намагниченности ферромагнитного металлического контакта (инжектора спин-поляризованных носителей). При выполнении настоящего проекта будет разработана эффективная технология контролируемого нанесения туннельно-тонких диэлектрических пленок и металлического ферромагнитного слоя на поверхность гетеронаноструктур In(Ga)As/GaAs методом электронно-лучевого испарения в вакууме в едином ростовом процессе. Ферромагнитный инжектор будет создан на основе сплавов кобальта и железа с платиной или палладием и будет обладать остаточной намагниченностью вследствие перпендикулярного расположения оси легкого намагничивания (по отношению к поверхности металлического слоя). При выполнении проекта будет использован значительный опыт научного коллектива по изучению свойств границы раздела ферромагнитный металл/полупроводник. Будет реализовано всестороннее экспериментальное и теоретическое исследование структуры и состава приповерхностных слоев, природы дефектов, влияющих на эффективность спиновой инжекции, электролюминесценции и циркулярной поляризации электролюминесценции. Будут получены новые знания о механизмах инжекции спин-поляризованных носителей в структурах металл/туннельно-тонкий диэлектрик/полупроводник, разработаны теоретические модели и определены условия для построения наиболее эффективных спиновых светоизлучающих диодов, работающих при повышенной температуре (вблизи комнатной).