Исследование свойств многочастотной ВЧ плазмы сложного состава, включая потоки и энергетический спектр ионов и фотонов, и их влияние на элементарные процессы на поверхности

В проекте теоретически и экспериментально исследуются такие процессы, как зарядка поверхности электрода, возникающая из-за взаимодействия заряженных частиц плазмы с диэлектриком, имеющим сформированную пространственную структуру, а также влияние формирования электрического потенциала на поверхности, так же как энергетического спектра ионов и электронов, падающих на поверхность, на скорости физических и химических реакций на поверхности, глубину модификации поверхности, а также анизотропию химических реакций. При описании зарядки диэлектрика используется метод Монте Карло для двух и трехмерной геометрии диэлектрика. Энергетические и угловые распределения ионов и электронов считаются заданными. На границах диэлектрика используются периодические условия. В случае столкновения электрона с поверхностью в соответствии с характеристиками вторичной электрон - электронной эмиссии с поверхности генерируется вторичный электрон, его траектория моделируется до его поглощения диэлектриком. Одновременно рассчитывается электрическое поле. В случае моделирования траекторий ионов предполагается учитывать не только нейтрализацию ионов на поверхности диэлектрика, как при описании зарядки, но и генерацию каскадов атомов диэлектрика, чтобы описать распыление диэлектрика. Результатами проведенного исследования будет понимание зависимости создаваемого зарядкой электрического потенциала на поверхности диэлектрика с нанорельефом от энергетических и угловых характеристик ионов и электронов двухчастотной вч плазмы благородных газов, зависимости потенциала от коэффициента пористости диэлектрика и влияния зарядки на процесс распыления диэлектрика ионами благородных газов. Полученные фундаментальные знания обеспечат приоритетный мировой уровень в исследовании фундаментальных свойств зарядки диэлектрических материалов с нанорельефом в плазме благородных газов, ее влияния на процесс распыления диэлектриков в сплошных и пористых диэлектриках и станут основой формирования принципов и подходов создания оптимальной технологии травления пористых пленок.